KS5M3U1892T 时间：2025/9/22 20:02:15 阅读：21

KS5M3U1892T是一款由三星（Samsung）生产的NAND型闪存存储芯片，广泛应用于移动设备、嵌入式系统以及消费类电子产品中。该器件属于高密度非易失性存储器产品线，适用于需要大容量数据存储和快速读写性能的应用场景。其封装形式通常为TSOP或BGA，适合在紧凑的PCB布局中使用。这款芯片支持标准的ONFI或Toggle Mode接口协议，能够与主流的应用处理器和基带芯片无缝对接，实现高效的数据交换。作为一款多层单元（MLC）或TLC架构的NAND Flash，KS5M3U1892T在成本、性能与耐久性之间实现了良好的平衡，常用于智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）模块以及其他便携式存储设备中。由于其高度集成的设计，该芯片内部集成了错误校正码（ECC）、坏块管理、磨损均衡等关键功能，提升了整体系统的可靠性与寿命。此外，该器件工作电压一般为1.8V或3.3V，符合低功耗设计趋势，有助于延长电池供电设备的续航时间。

参数

型号：KS5M3U1892T
　　制造商：Samsung
　　存储类型：NAND Flash
　　存储容量：16Gb（2GB）
　　工艺技术：20nm class MLC/TLC
　　接口类型：Toggle Mode 1.0/2.0 或 ONFI 2.1/3.0
　　供电电压：Vcc = 1.7V ~ 1.95V（核心电压），VccQ = 1.7V ~ 1.95V（I/O电压）
　　读取延迟：典型值约50μs
　　编程时间：页编程典型时间约为300μs
　　擦除时间：块擦除典型时间约为2ms
　　数据保持期：室温下可达10年（典型）
　　耐久性：每个块可承受约3000~5000次P/E（Program/Erase）循环（取决于具体工艺版本）
　　封装形式：12nm BGA 或 TSOP-48
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　待机电流：< 1mA，读取电流：< 25mA，编程电流：< 15mA

特性

KS5M3U1892T采用先进的20nm级制造工艺，具备高存储密度和低功耗特性，适用于对空间和能耗敏感的移动设备。该芯片支持双平面操作（Dual Plane Operation），允许同时对两个平面进行读取、编程或擦除操作，显著提升数据吞吐率和整体性能。其内置的高级命令集包括Copy-back Program、Random Data Output、Multi-plane Page Read等功能，增强了系统级控制灵活性。
　　该器件支持Toggle Mode接口协议，无需外部时钟即可实现高速异步数据传输，最高可达400MT/s（每通道），有效降低系统复杂度和EMI干扰。同时兼容ONFI标准的控制器平台也能顺利驱动该芯片，提高了设计兼容性。
　　KD5M3U1892T集成强大的硬件ECC引擎，能够在读写过程中自动检测并纠正多位错误，保障数据完整性。配合动态坏块管理和后台刷新机制，进一步延长了使用寿命和数据可靠性。此外，芯片支持Write Protect功能，可通过软件或硬件方式防止意外写入或擦除，保护关键数据安全。
　　为了优化电源管理，该芯片提供多种省电模式，如待机模式、深度睡眠模式等，在设备闲置时大幅降低功耗。所有内部定时和控制均由片上状态机管理，减轻主控处理器负担，提升系统响应速度。其可靠的封装技术和严格的测试流程确保在工业级温度范围内稳定运行，适用于严苛环境下的长期部署。

应用

KS5M3U1892T广泛应用于各类需要中等至大容量非易失性存储的电子设备中。在智能手机和平板电脑中，它常被用作操作系统、应用程序及用户数据的存储介质，配合eMMC或直接挂载于主控平台，构建高效的本地存储解决方案。在嵌入式系统领域，如工业控制终端、车载信息娱乐系统、POS机等设备中，该芯片提供可靠的本地日志记录、配置存储和固件更新能力。
　　此外，KS5M3U1892T也适用于入门级固态硬盘（SSD）模块、USB 3.0闪存盘和SD卡等便携式存储产品，凭借其较高的性价比和稳定的性能表现，成为主流消费类存储产品的优选方案之一。在物联网（IoT）设备中，例如智能摄像头、家庭网关、无线路由器等，该芯片可用于存储固件镜像、视频缓存或网络配置文件，满足长时间连续读写的需求。
　　由于其支持宽温工作范围和抗干扰能力强的特点，该器件也可部署于户外监控设备、医疗仪器、智能家居中枢等对稳定性要求较高的应用场景。结合主控芯片的FTL（Flash Translation Layer）管理算法，KS5M3U1892T能够实现逻辑地址映射、垃圾回收、磨损均衡等高级功能，从而构建一个完整且高效的存储子系统。