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KS58018D 发布时间 时间:2025/8/27 18:36:46 查看 阅读:7

KS58018D 是一款由韩国公司 KEC(Korea Electronics Corporation)生产的 N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动器以及其他需要高效能功率开关的场合。KS58018D 采用 TO-252(DPAK)封装,具有良好的热性能和电流承载能力。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):18A
  功耗(Pd):60W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  存储温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

KS58018D 是一款高性能的 N沟道 MOSFET,具有较低的导通电阻(Rds(on)),能够在高频率下高效工作。该器件的栅极驱动电压范围较宽,适用于多种驱动电路配置。其低导通电阻有助于减少导通损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET具备良好的热稳定性,能够在较高温度下持续工作而不发生热失控。
  KS58018D 的封装设计(TO-252)便于散热,适用于表面贴装工艺,提高了生产效率和可靠性。其封装结构也有助于降低寄生电感,提升开关性能。该MOSFET适用于同步整流、电池管理系统、LED驱动、DC-DC转换器等应用场景。
  该器件还具备良好的抗静电能力(ESD保护),可在制造和使用过程中提供一定的安全保障。此外,KS58018D 的电气参数经过严格测试,确保在各种工作条件下保持稳定性能。

应用

KS58018D 常用于各种功率电子设备中,如开关电源(SMPS)、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、马达控制器、LED照明驱动器、电池充电管理电路、工业自动化控制系统以及汽车电子模块等。由于其具备较高的电流容量和良好的热性能,该MOSFET特别适合用于中高功率级别的应用场合。

替代型号

Si4410BDY-T1-GE3, FDS6680, IRFZ44N, AO4406A

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