KS5514B-10 时间：2025/12/28 15:59:55 阅读：9

KS5514B-10 是一款由韩国公司 KEC（Korea Electronics Corporation）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源管理应用而设计，适用于需要高电流、高频率切换操作的电路，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关和马达驱动器等。KS5514B-10 采用 TO-252（DPAK）封装，具有较低的导通电阻和良好的热稳定性，适合中高功率应用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　漏极电流（ID）：80A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：10mΩ（最大值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0~4.0V
　　功耗（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

KS5514B-10 MOSFET 具备低导通电阻特性，能够在高电流条件下提供较低的传导损耗，从而提高整体系统效率。其低 RDS(on) 值在 10mΩ 以下，有助于降低功率损耗和发热量，提高电源转换效率。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的栅极驱动，使其适用于多种控制电路，包括由微控制器或 PWM 控制器驱动的应用。KS5514B-10 还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定工作，适合工业级和汽车电子应用。TO-252 封装提供了较好的散热性能，并支持表面贴装工艺，便于 PCB 布局和自动化生产。
　　此外，该 MOSFET 内部寄生二极管具有较高的反向恢复能力，可承受较大的瞬态电流冲击，适用于高频开关应用。其高耐压特性（100V）也使其适用于多种中压电源转换系统，如电动工具、电动车控制器、电池管理系统（BMS）等。KS5514B-10 在设计时考虑了短路和过热保护能力，能够在异常条件下提供一定程度的耐受性，提高系统的可靠性。

应用

KS5514B-10 广泛应用于各类高功率密度电源系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动电路、电池充电器和管理系统（BMS）等。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件也常用于工业自动化设备、电动工具、电动汽车的电源控制模块以及 LED 照明驱动电路。此外，它还可用于电源管理模块和 UPS（不间断电源）系统，满足高效率和高可靠性要求的应用场景。