型号：KS4H8U1111CBP
　　制造商：Samsung
　　存储类型：GDDR6 SDRAM
　　容量：8Gb（1GB）
　　组织结构：8G x 1
　　工作电压：VDD/VDDQ = 1.35V，VPP = 1.8V
　　数据速率：最高可达16 Gbps
　　接口类型：x1 Channel
　　封装类型：FBGA（136-ball）
　　引脚数：136-pin
　　工作温度范围：0°C 至 +95°C（Tc）
　　最大刷新周期：tREFI = 3.9μs（典型值）
　　封装尺寸：约 13mm x 13mm x 0.7mm
　　带宽：每引脚高达16 GT/s，单芯片理论带宽约16 GB/s
　　兼容标准：符合JEDEC JESD209-5 GDDR6规范

KS4H8U1111CBP 具备多项先进特性，以满足现代高性能图形和计算应用的需求。首先，其高达16 Gbps的数据传输速率显著提升了内存子系统的整体带宽，使得GPU能够在单位时间内处理更多的纹理、帧缓冲和计算数据，从而提升图形渲染效率和AI模型训练速度。该芯片采用双倍数据速率技术，在时钟的上升沿和下降沿均传输数据，进一步提高有效带宽。此外，其内部架构支持通道优化设计，允许更高效的命令调度与数据访问，减少延迟并提高并发性能。
　　该器件支持动态电压频率调整（DVFS）功能，能够根据负载情况自动调节工作频率和电压，实现性能与功耗之间的最佳平衡。这在移动图形设备和节能型数据中心中尤为重要。同时，KS4H8U1111CBP 集成了多种低功耗模式，如自刷新、部分阵列自刷新（PASR）和深度掉电模式，可在空闲或轻负载状态下大幅降低能耗。
　　在信号完整性方面，该芯片采用了差分时钟输入、可编程驱动强度、片上终端（ODT）和预驱动控制等技术，确保在高频下仍能保持稳定可靠的通信。其FBGA封装设计优化了热传导路径，提升了散热效率，确保在高负载运行时结温处于安全范围内。此外，该器件具备出色的抗噪声能力和EMI抑制特性，适合复杂电磁环境下的稳定运行。
　　KS4H8U1111CBP 还支持错误检测机制，如写入数据眼图训练（Write Leveling、Read/Write Training），帮助系统在初始化阶段优化时序参数，提升长期运行的稳定性。其制造工艺基于先进的极紫外光刻（EUV）技术，提高了单元密度和良率，同时降低了漏电流和功耗。总体而言，这款GDDR6芯片代表了当前图形内存技术的前沿水平，广泛应用于对带宽、能效和可靠性要求极高的场景。

KS4H8U1111CBP 主要应用于需要极高内存带宽和低延迟的高性能计算与图形处理领域。其首要应用场景是高端独立显卡，尤其是用于游戏GPU、专业工作站显卡（如NVIDIA RTX系列、AMD Radeon Pro系列）中，作为显存颗粒提供强大的数据吞吐能力，支持4K/8K视频渲染、实时光线追踪和复杂三维建模。
　　在人工智能与深度学习领域，该芯片被集成于AI加速卡（如TPU、NPU模块）中，服务于大规模神经网络训练和推理任务。其高带宽特性能够快速加载权重参数和激活数据，缓解“内存墙”问题，提升整体计算效率。此外，在数据中心GPU加速器中，KS4H8U1111CBP 可用于支持云计算、大数据分析、科学模拟等高并发计算任务。
　　该器件也适用于高性能嵌入式系统，如自动驾驶计算平台、医疗影像处理设备、AR/VR头显设备等，这些系统要求实时处理大量传感器或图像数据。在服务器级图形处理单元（vGPU）和云游戏平台中，它同样发挥着重要作用，确保多用户环境下流畅的图形体验。
　　由于其良好的热稳定性和工业级工作温度范围，KS4H8U1111CBP 还可用于工业自动化、航空航天电子系统以及军事雷达图像处理等严苛环境中的高性能图像处理模块。总之，凡是需要突破传统内存带宽瓶颈的场景，都是KS4H8U1111CBP 的典型应用领域。

MT58B8G16HD-16 : Micron Technology
　　AD58G8G16A2CX-16 : SK Hynix