时间：2025/9/2 9:36:29
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H9DH4GH2GJAPER-4EM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款NAND闪存芯片。这款芯片属于高密度存储器件，适用于需要大容量存储和高性能数据读写的应用场景。该器件采用BGA封装形式，具备良好的电气性能和稳定性。它广泛用于工业设备、嵌入式系统以及消费类电子产品中。
容量：4GB
工艺技术：2x nm
封装类型：BGA
引脚数：52-pin
电压范围：2.7V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：ONFI 2.3
最大读取速度：50MB/s
最大写入速度：10MB/s
H9DH4GH2GJAPER-4EM NAND闪存芯片具备多项显著特性，适用于多种应用场景。首先，该芯片具备4GB的存储容量，适合用于需要中等至大容量非易失性存储的设备。其采用先进的2x nm工艺技术，能够在保证高密度存储的同时，实现较低的功耗和更高的可靠性。
其次，该芯片采用52-pin BGA封装，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，非常适合嵌入式系统和空间受限的应用。其ONFI 2.3接口支持快速的数据传输，最大读取速度可达50MB/s，写入速度最高为10MB/s，能够满足大部分中低端存储应用的需求。
H9DH4GH2GJAPER-4EM NAND闪存芯片广泛应用于多个领域。例如，它可用于工业控制设备、嵌入式系统、手持设备、消费类电子产品（如数码相机、便携式媒体播放器）以及数据采集设备。其高可靠性和宽温工作特性使其特别适合在工业自动化、智能仪表、车载系统等环境中使用。
H9DH4GH2GJACUR-4EM, H9DH4GH2JLACUR-4EM, H9DH4GH2JLAPER-4EM
