H9DH4GH2GJAPER-4EM 是由SK Hynix(海力士)生产的一款NAND闪存芯片。这款芯片属于高密度存储器件,适用于需要大容量存储和高性能数据读写的应用场景。该器件采用BGA封装形式,具备良好的电气性能和稳定性。它广泛用于工业设备、嵌入式系统以及消费类电子产品中。
容量:4GB
工艺技术:2x nm
封装类型:BGA
引脚数:52-pin
电压范围:2.7V - 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
接口类型:ONFI 2.3
最大读取速度:50MB/s
最大写入速度:10MB/s
H9DH4GH2GJAPER-4EM NAND闪存芯片具备多项显著特性,适用于多种应用场景。首先,该芯片具备4GB的存储容量,适合用于需要中等至大容量非易失性存储的设备。其采用先进的2x nm工艺技术,能够在保证高密度存储的同时,实现较低的功耗和更高的可靠性。
其次,该芯片采用52-pin BGA封装,具有较小的封装尺寸和良好的散热性能,非常适合嵌入式系统和空间受限的应用。其ONFI 2.3接口支持快速的数据传输,最大读取速度可达50MB/s,写入速度最高为10MB/s,能够满足大部分中低端存储应用的需求。
H9DH4GH2GJAPER-4EM NAND闪存芯片广泛应用于多个领域。例如,它可用于工业控制设备、嵌入式系统、手持设备、消费类电子产品(如数码相机、便携式媒体播放器)以及数据采集设备。其高可靠性和宽温工作特性使其特别适合在工业自动化、智能仪表、车载系统等环境中使用。
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