电容值：47μF
　　容差：±20%
　　额定电压：50V
　　介质材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：1812（4532 公制）
　　最大高度：1.6mm
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　ESR（等效串联电阻）：低ESR设计
　　绝缘电阻：1000MΩ min

KRM55WR71H476MH13# 多层陶瓷电容器具有多个关键特性，使其适用于广泛的应用场景。首先，其 X7R 介质材料确保了在宽温度范围内（-55°C 至 +125°C）的稳定性，电容值变化率仅为 ±15%。这使得它在温度变化较大的环境中仍能保持性能稳定。
　　其次，该电容器具有低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），这对高频去耦和滤波应用非常重要。低 ESR 可减少电容器在工作时的发热，从而提高整体系统的可靠性和寿命。
　　此外，该电容器采用了 1812（4532 公制）封装尺寸，适合表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和组装。这种封装形式也节省了 PCB 上的空间，使其适合高密度电路板设计。
　　KRM55WR71H476MH13# 的额定电压为 50V，可安全地用于中高电压应用，如电源转换器、稳压器和 DC-DC 转换器等。其 ±20% 的容差范围也提供了足够的灵活性，满足大多数设计需求。
　　最后，该电容器具有优异的机械强度和耐久性，能够承受一定的机械应力，适用于工业和汽车电子环境。

KRM55WR71H476MH13# 多层陶瓷电容器广泛应用于多种电子设备和系统中，特别是在对性能和稳定性要求较高的场合。该电容器常用于电源管理电路中，作为输入和输出滤波电容，以稳定电压并减少纹波。其低 ESR 特性使其在开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和 LDO 稳压器中表现优异。
　　在通信设备中，该电容器用于 RF 和中频滤波器、耦合和旁路电路，以确保信号完整性并减少噪声干扰。由于其良好的温度稳定性和高频响应特性，它在无线基站、路由器和交换设备中得到了广泛应用。
　　在工业控制系统中，该电容器用于 PLC、传感器和自动化设备中的去耦和储能应用。它能够有效吸收瞬态电压波动，保护敏感的电子元件免受损坏。
　　此外，KRM55WR71H476MH13# 还可用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于电源去耦和信号处理电路。其紧凑的 1812 封装形式使其非常适合空间受限的设计。
　　在汽车电子系统中，该电容器适用于发动机控制单元、车载信息娱乐系统和 ADAS（高级驾驶辅助系统）模块。其耐高温和耐振动的特性使其能够在严苛的汽车环境中可靠运行。

KRM55WR71H476MH13# 的替代型号包括 TDK 的 C4532X5R1H476ME080、Murata 的 GRM32ER71H476KA12L 和 AVX 的 X7R476M50BAK0800。这些型号在电气特性和封装尺寸方面与 KRM55WR71H476MH13# 相似，适用于大多数相同的应用场景。在选择替代型号时，建议根据具体应用需求和电路设计要求进行详细比对，以确保性能和兼容性。