时间：2025/7/10 12:17:57
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HUF76013D3ST 是一款高性能的 N 沃特 (N-Channel) 功率场效应晶体管 (MOSFET)，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用领域。该器件采用 DPAK 封装，具有较低的导通电阻 (Rds(on)) 和较高的电流处理能力。
其设计注重效率和散热性能，适用于需要高能效和高功率密度的应用场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：28A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：29nC
开关速度：快速
封装形式：DPAK (TO-252)
HUF76013D3ST 的主要特性包括低导通电阻以减少传导损耗，从而提高系统效率；具备良好的热性能以适应高温工作环境；支持高频开关操作以满足现代电源转换需求。
此外，该器件还具有出色的雪崩能力和耐用性，能够在异常条件下提供更高的可靠性。其紧凑的封装设计使其易于集成到各种电路板布局中，同时保持了优异的电气性能。
HUF76013D3ST 主要用于 DC-DC 转换器、PWM 控制器、同步整流器、LED 驱动器以及电池管理系统等领域。
在汽车电子中，它常被用作电机控制和负载切换的核心元件；在消费类电子产品中，则适用于适配器、充电器和其他便携式设备的功率管理部分。
HUF76013D3STP, HUF76013D3T
