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KRF1302S 发布时间 时间:2025/7/18 19:19:59 查看 阅读:9

KRF1302S 是一款由韩国电子元件制造商KEC(Korea Electronics)推出的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的平面工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性。KRF1302S适用于DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动电路以及各种需要高效功率控制的电子设备中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:12A
  最大漏-源电压:30V
  最大栅-源电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):0.028Ω @ Vgs=10V
  栅极电荷(Qg):15nC
  输入电容(Ciss):720pF
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

KRF1302S MOSFET具有多项突出的电气特性,使其在各种功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))仅为0.028Ω,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。在高电流应用中,这一特性尤为关键,可以有效减少发热,提高整体系统稳定性。
  其次,KRF1302S的最大漏极电流为12A,最大漏-源电压为30V,使其适用于中等功率的电源管理场合,如同步整流器、DC-DC转换器以及负载开关。此外,其栅极电荷(Qg)为15nC,表明该器件具有较快的开关速度,从而降低开关损耗并提高系统响应速度。
  该器件的输入电容为720pF,在高频开关应用中具有良好的性能表现,减少了驱动电路的负担。KRF1302S的栅-源电压容限为±20V,提供了更高的栅极驱动灵活性,同时增强了抗电压波动能力,从而提高器件的可靠性和耐用性。
  此外,KRF1302S采用TO-252(DPAK)封装形式,具有良好的热管理性能,能够有效地将热量传导至PCB板或散热片,从而提高散热效率,确保在高负载条件下的稳定运行。该封装形式也便于表面贴装,适用于自动化生产流程,提升了产品的制造效率。
  总体而言,KRF1302S以其低导通电阻、高电流容量、快速开关特性以及良好的热管理和封装兼容性,成为电源管理和功率开关应用中的理想选择。

应用

KRF1302S MOSFET广泛应用于多种电子系统和模块中,特别是在需要高效功率控制的场合。其典型应用包括同步整流器、DC-DC转换器、电池管理系统(如便携式设备和电动工具中的电池保护电路)、电机驱动器、LED照明调光系统以及负载开关控制。
  在电源管理领域,KRF1302S可用于构建高效的Buck或Boost转换器,帮助提高能源利用率并减小电源模块的体积。在电池管理系统中,该器件常用于电池充放电控制和过流保护电路,确保电池组的安全运行。
  此外,KRF1302S也适用于各种电机控制应用,如电动工具、风扇驱动和机器人控制系统。其低导通电阻和高开关速度使其在PWM控制中表现出色,从而实现更精确的速度调节和更低的能耗。
  由于其封装形式适合表面贴装技术(SMT),KRF1302S也广泛用于消费类电子产品、工业自动化设备、汽车电子系统以及智能家电等现代电子设备中。

替代型号

Si4406BDY, IRF7413PBF, AO4406, FDS6680, NTD12N03CT

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