KRC860U-RTK 时间：2025/9/12 15:12:37 阅读：5

KRC860U-RTK是一款由KEC（东芝）公司推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高频率的功率转换应用设计，广泛应用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动和电池管理系统中。其封装形式为TO-252（DPAK），便于散热和安装，适合高功率密度的应用环境。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：25A（Tc=25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：最大40mΩ（Vgs=10V）
　　功率耗散(Pd)：83W
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KRC860U-RTK具有极低的导通电阻，这使得它在高电流条件下能够保持较低的传导损耗，从而提高系统的整体效率。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至20V的栅极电压输入，使其适用于多种控制电路和驱动器。此外，其高耐压能力和良好的热稳定性使其能够在苛刻的工作环境中保持稳定运行。
　　该器件的封装设计优化了散热性能，确保在高功率操作时依然能够维持较低的结温。此外，KRC860U-RTK还具备出色的雪崩能量承受能力，增强了器件在突发过压情况下的可靠性。
　　在动态性能方面，该MOSFET具有快速开关特性，减少了开关损耗，使其适用于高频开关电源和高精度电机控制应用。其内部结构设计有效降低了寄生电容，提升了高频响应能力。

应用

KRC860U-RTK广泛应用于各类高功率电子系统中，包括高效率DC-DC降压/升压转换器、隔离式和非隔离式开关电源（SMPS）、服务器电源系统、工业自动化设备、电池管理系统（BMS）以及电动汽车（EV）充电模块等。此外，它也可用于高边开关、负载开关、马达驱动器和电源管理模块等需要高效率功率控制的场合。