时间：2025/5/24 10:45:51
阅读：10
FV43N101J302ECG 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由知名半导体制造商生产。该器件适用于需要高效率、低导通电阻和快速开关性能的应用场景，广泛用于电源管理、电机驱动和工业控制领域。其封装形式为 DPAK（TO-263），具有良好的散热性能。
该 MOSFET 的设计使其在高频开关应用中表现出色，同时能够承受较高的电流负载和电压波动。由于其低导通电阻特性，FV43N101J302ECG 在降低功耗和提升系统效率方面表现突出。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：30A
导通电阻（Rds(on)）：3.8mΩ（典型值，@Vgs=10V）
栅极电荷：75nC
输入电容：1200pF
总功耗：150W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，确保高效的功率转换和较低的热损耗。
2. 高速开关能力，支持高频工作环境。
3. 良好的热稳定性，适用于高温应用场景。
4. 小型化封装设计，易于集成到紧凑型电路板。
5. 强大的浪涌电流能力，适合严苛的工作条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换级。
2. 电机驱动器中的逆变器和控制器。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 电池管理系统（BMS）中的保护和均衡电路。
5. LED 照明驱动中的高效功率管理。
6. 可再生能源系统中的 DC-DC 和 DC-AC 转换模块。
FDP5800, IRFZ44N, FQP50N06L
