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FV43N101J302ECG 发布时间 时间:2025/5/24 10:45:51 查看 阅读:23

FV43N101J302ECG 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由知名半导体制造商生产。该器件适用于需要高效率、低导通电阻和快速开关性能的应用场景,广泛用于电源管理、电机驱动和工业控制领域。其封装形式为 DPAK(TO-263),具有良好的散热性能。
  该 MOSFET 的设计使其在高频开关应用中表现出色,同时能够承受较高的电流负载和电压波动。由于其低导通电阻特性,FV43N101J302ECG 在降低功耗和提升系统效率方面表现突出。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻(Rds(on)):3.8mΩ(典型值,@Vgs=10V)
  栅极电荷:75nC
  输入电容:1200pF
  总功耗:150W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 极低的导通电阻 Rds(on),确保高效的功率转换和较低的热损耗。
  2. 高速开关能力,支持高频工作环境。
  3. 良好的热稳定性,适用于高温应用场景。
  4. 小型化封装设计,易于集成到紧凑型电路板。
  5. 强大的浪涌电流能力,适合严苛的工作条件。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级。
  2. 电机驱动器中的逆变器和控制器。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 电池管理系统(BMS)中的保护和均衡电路。
  5. LED 照明驱动中的高效功率管理。
  6. 可再生能源系统中的 DC-DC 和 DC-AC 转换模块。

替代型号

FDP5800, IRFZ44N, FQP50N06L

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