时间：2025/12/28 14:47:00
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KRC853E-RTK 是一款由 KEC Corporation 生产的 NPN 型晶体管，广泛应用于射频（RF）和高频放大器电路中。该晶体管设计用于在高频率下提供优异的性能，适用于无线通信、广播设备和测试仪器等领域。
晶体管类型：NPN
最大集电极电流（Ic）：100mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
最大功耗（Pd）：300mW
频率范围：100MHz - 1GHz
增益（hFE）：典型值为 80 @ Ic=2mA, Vce=5V
封装类型：TO-92
KRC853E-RTK 具有优异的高频特性，能够在高达 1GHz 的频率范围内提供稳定的增益和低噪声性能。该晶体管的封装设计确保了良好的散热性能，适用于紧凑型电路设计。此外，它还具有良好的温度稳定性，能在宽温度范围内保持稳定的性能。其低噪声系数和高增益特性使其成为射频放大器和前置放大器的理想选择。KRC853E-RTK 还具有较高的线性度，适合用于需要高信号保真的应用。
应用领域包括但不限于无线通信系统、射频测试设备、音频放大器以及工业控制电路。
KRC853E-RTK 常用于射频放大器、前置放大器、无线通信设备、测试仪器和广播设备中。它适用于需要在高频环境下提供稳定增益和低噪声性能的电路设计。
KRC853E, 2N5109, BFQ59, KRC852E
