类型：DRAM
　　容量：256MB
　　组织结构：2M x16
　　速度：-5A（对应166MHz）
　　电压：2.3V-3.6V
　　封装：54针TSOP
　　工作温度：工业级（-40°C至+85°C）

H5MS2562NFR-K3M DRAM芯片具有多项出色的性能特性。首先，其256MB的存储容量适合各种中高端应用需求，提供足够的内存空间以支持复杂的程序和数据处理。2M x16的组织结构允许其以16位数据总线进行操作，提高了数据传输效率。
　　其次，这款芯片支持166MHz的工作频率，使其能够在高速数据访问场景中表现出色，如图形处理、嵌入式系统和工业控制设备等。此外，H5MS2562NFR-K3M的工作电压范围为2.3V至3.6V，具有较好的电源适应性，使其能够在不同的电源环境中稳定运行。
　　该芯片采用了TSOP（Thin Small Outline Package）封装技术，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适合对空间有严格要求的应用场景。其工业级的工作温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在较为恶劣的工业环境中可靠运行，适用于工业控制、车载系统、通信设备等领域。
　　另外，H5MS2562NFR-K3M的高可靠性和稳定性也使其成为许多嵌入式系统的首选内存芯片。其快速的读写响应时间和低延迟特性确保了系统运行的流畅性和高效性。

H5MS2562NFR-K3M广泛应用于需要较大内存容量和高速数据处理能力的设备。常见的应用包括嵌入式控制系统、工业计算机、通信设备、图像处理系统以及车载电子设备等。在这些应用中，该芯片能够提供稳定、可靠和高效的内存支持，满足复杂计算和数据存储的需求。

H5MS2562NFR-K3C，H5MS2562NFR-K4C