晶体管类型：NPN型双极性晶体管（BJT）
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：30V
　　最大发射极-基极电压（VEB）：5V
　　最大功耗（PD）：150mW
　　过渡频率（fT）：8GHz
　　噪声系数（NF）：0.5dB（典型值）
　　电流增益（hFE）：60-500（分档）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-323（SC-70）

KRC852F-RTK/P 是一款专为高频和低噪声放大应用设计的晶体管。其主要特性包括：
　　? 高频性能优异：具有高达8GHz的过渡频率（fT），适合用于高频放大器和射频前端电路。
　　? 低噪声系数：典型噪声系数仅为0.5dB，使其非常适合用于低噪声放大器（LNA）和射频接收系统。
　　? 高电流增益：hFE范围从60到500，根据具体型号分档，能够满足不同应用对增益的需求。
　　? 小型化封装：采用SOT-323封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，适合便携式电子设备和无线模块设计。
　　? 良好的热稳定性：能够在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作，适应各种恶劣工作环境。
　　? 功耗低：最大功耗为150mW，适合低功耗设计要求。
　　这些特性使得KRC852F-RTK/P在射频通信、无线网络、蓝牙模块、Wi-Fi前端电路等应用中具有广泛的应用前景。

KRC852F-RTK/P 主要用于需要低噪声和高频率响应的电子电路中，常见应用包括：
　　? 射频低噪声放大器（LNA）：用于无线接收器前端，提升信号灵敏度。
　　? 高频放大器：适用于8GHz以下的射频信号放大电路。
　　? 无线通信模块：如蓝牙、Wi-Fi、Zigbee等无线传输模块中的信号放大与处理。
　　? 有线与无线基础设施设备：如基站、接入点、中继器等设备中的高频信号处理电路。
　　? 测试与测量设备：用于射频测试仪器中的信号放大和调节电路。
　　? 便携式电子产品：如智能手机、平板电脑、穿戴设备中的射频前端电路。

KRC852F-RTK/P的替代型号包括KRC852Y-F（高hFE版本）、KRC852H-RTK/P（中hFE版本）、NE852M03（Nexperia出品，类似性能参数的SOT-323 NPN晶体管）以及BFU520（Infineon出品，适用于高频和低噪声应用的NPN晶体管）。