类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　发射极-基极电压（Veb）：5V
　　集电极电流（Ic）：150mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-92

KRC830E-RTK/P晶体管具有优异的高频性能，适用于高频放大和高速开关电路。其电流增益（hFE）范围通常在110至800之间，具体数值取决于工作条件和器件分档，确保在不同应用中提供稳定的增益性能。该晶体管的开关速度较快，能够有效减少开关损耗，适用于需要高频操作的电路设计。此外，其TO-92封装形式便于手工焊接和安装，适合于原型设计和小批量生产。
　　该晶体管具有良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内正常工作，适合在各种环境条件下使用。由于其低饱和电压特性，KRC830E-RTK/P在导通状态下功耗较低，有助于提高整体系统的能效。此外，该晶体管具备较高的可靠性和耐用性，适用于长时间运行的电子设备。

KRC830E-RTK/P晶体管广泛应用于各种电子电路设计中，特别是在需要高频放大和高速开关的场合。例如，在音频放大器中，它可以作为前置放大器以提高信号强度；在数字电路中，它可以作为开关元件控制负载的通断；在电源管理电路中，它可以用于DC-DC转换器或电池充电控制电路中。此外，该晶体管也常用于传感器信号放大、继电器驱动、LED驱动以及各种工业控制电路中。
　　在汽车电子系统中，该晶体管可用于车身控制模块、照明控制系统和车载娱乐系统。在消费电子产品中，如遥控器、玩具、小家电和便携式设备中，KRC830E-RTK/P也能发挥重要作用。由于其封装形式适合手动焊接和自动化装配，因此也广泛应用于教育实验和电子爱好者项目中。

KRC830E-RTK/P的替代型号包括KRC830Y、KRC830S、KRC830AS、KRC830AS-RTK/P、KRC830H、KRC830H-RTK/P等。