IXFN130N20 时间：2025/8/6 1:46:21 阅读：12

IXFN130N20 是一款由 Littelfuse（原 IXYS Corporation）制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电流、高效率功率转换应用设计，例如在电机控制、DC-DC 转换器、太阳能逆变器、焊接设备及不间断电源（UPS）中广泛使用。IXFN130N20 采用 TO-264 封装，具备良好的热性能和电流承载能力，适用于需要高可靠性和高性能的工业级应用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极连续电流（ID）：130A
　　功耗（PD）：350W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　导通电阻（RDS(on)）：约 6.5mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：约 135nC
　　封装形式：TO-264

特性

IXFN130N20 的主要特性包括低导通电阻（RDS(on)）以减少导通损耗，提高系统效率；具备高电流承载能力和优异的热稳定性，确保在高负载条件下的稳定运行。该器件还具有快速开关性能，降低了开关损耗，适合高频操作。此外，IXFN130N20 的封装设计优化了散热性能，便于安装在散热器上，提高整体系统的热管理能力。该 MOSFET 还具备良好的雪崩能量耐受能力，增强了器件在高能脉冲环境下的可靠性。
　　其栅极驱动电压范围宽泛（通常为 10V 至 20V），允许使用标准的栅极驱动器进行控制。此外，IXFN130N20 的设计符合 RoHS 环保标准，适用于对环境影响有严格要求的应用场景。

应用

IXFN130N20 广泛应用于各种高功率电子系统中，如直流电机驱动器、逆变器、太阳能功率调节系统、电池充电器、工业自动化设备和高功率开关电源（SMPS）。其优异的导通和开关性能使其成为需要高效能和高可靠性的电源转换系统中的理想选择。在电动汽车和新能源系统中，该器件也常用于功率因数校正（PFC）电路和主功率开关拓扑结构中。