KRC829F-RTK/P 时间：2025/12/28 15:08:23 阅读：31

KRC829F-RTK/P 是一款由Kec Corporation（KEC）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的平面技术制造，具有低导通电阻和高功率密度，适合用于高频率开关电路。该MOSFET封装在TO-220F封装中，具备良好的热性能和电气性能，适用于各种电源转换和控制应用。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：900V
　　漏极电流(Id)：12A（最大）
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.45Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：TO-220F
　　功率耗散(Pd)：150W
　　晶体管结构：平面型

特性

KRC829F-RTK/P MOSFET具有多项优异特性，包括高耐压能力（Vds高达900V）和良好的电流处理能力（Id为12A），使其适用于高电压和高功率的应用场景。该器件的导通电阻较低，典型值为0.45Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具备高栅极电压耐受能力（±30V），增强了其在高频开关应用中的稳定性和可靠性。
　　该器件采用TO-220F封装，具有优良的散热性能，能够有效地将热量从芯片传导至外部散热器，确保在高负载条件下的稳定运行。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种工业环境下的应用。KRC829F-RTK/P还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，进一步增强了其在苛刻工作条件下的耐用性。
　　此外，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频率工作环境，能够有效减少开关损耗并提高电源转换效率。其平面型晶体管结构设计也有助于优化电流分布并降低热阻。

应用

KRC829F-RTK/P MOSFET广泛应用于各种电源管理系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、LED驱动器以及电机控制电路。它也常用于工业自动化设备、家用电器和照明系统的功率控制部分。由于其高电压耐受能力和良好的导通特性，该器件非常适合用于高功率密度和高效率要求的电源设计中。此外，在UPS（不间断电源）和电池充电器等应用中，KRC829F-RTK/P也表现出色，能够提供稳定可靠的开关性能。