KRC653E-RTK是一款由Kec Corporation(基美半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等场合。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性,适合在高效率、高功率密度的电子系统中使用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):120A(在Tc=25℃)
导通电阻(Rds(on)):5.2mΩ(最大值,Vgs=10V)
封装形式:TO-252(DPAK)
工作温度范围:-55℃~150℃
KRC653E-RTK具有极低的导通电阻(Rds(on)),显著降低了导通损耗,提高了系统效率。其采用先进的沟槽式MOSFET技术,提供更高的电流承载能力和更小的芯片尺寸,从而实现更高的功率密度。
此外,该器件具有优异的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,适用于对散热要求较高的应用场合。其封装形式为TO-252(DPAK),便于在PCB上安装并具备良好的散热性能。
该MOSFET还具备良好的雪崩能量耐受能力,增强了在开关过程中承受电压尖峰的能力,提高了系统的可靠性和稳定性。同时,其栅极驱动电压范围较宽(可支持10V或更高的驱动电压),适用于多种驱动电路设计。
KRC653E-RTK广泛应用于各种电源管理系统中,如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)以及电动工具、电动自行车和工业自动化设备中的马达控制电路。其低导通电阻和高电流能力使其在高功率密度设计中表现出色,尤其适合需要高效率和低损耗的应用场景。
此外,该MOSFET还可用于服务器电源、通信电源、UPS(不间断电源)、光伏逆变器以及汽车电子系统中,提供可靠的功率开关性能。
SiR142DP-T1-GE3, FDS4435B, IRF14213PBF