KRC653E-RTK 时间：2025/9/12 13:48:49 阅读：45

KRC653E-RTK是一款由Kec Corporation（基美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等场合。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性，适合在高效率、高功率密度的电子系统中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：5.2mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　工作温度范围：-55℃～150℃

特性

KRC653E-RTK具有极低的导通电阻（Rds(on)），显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供更高的电流承载能力和更小的芯片尺寸，从而实现更高的功率密度。
　　此外，该器件具有优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适用于对散热要求较高的应用场合。其封装形式为TO-252（DPAK），便于在PCB上安装并具备良好的散热性能。
　　该MOSFET还具备良好的雪崩能量耐受能力，增强了在开关过程中承受电压尖峰的能力，提高了系统的可靠性和稳定性。同时，其栅极驱动电压范围较宽（可支持10V或更高的驱动电压），适用于多种驱动电路设计。

应用

KRC653E-RTK广泛应用于各种电源管理系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及电动工具、电动自行车和工业自动化设备中的马达控制电路。其低导通电阻和高电流能力使其在高功率密度设计中表现出色，尤其适合需要高效率和低损耗的应用场景。
　　此外，该MOSFET还可用于服务器电源、通信电源、UPS（不间断电源）、光伏逆变器以及汽车电子系统中，提供可靠的功率开关性能。