时间：2025/12/27 17:47:57
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C4742是Toshiba（东芝）公司生产的一款N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效功率控制的电子设备中。该器件采用先进的沟槽式场效应技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等优点。C4742通常封装在小型化的表面贴装封装（如SOT-23或SOT-223）中，适合高密度PCB布局设计，同时具备优良的散热性能。作为一款通用型功率MOSFET，C4742能够在中等电压和电流条件下提供可靠的性能表现，适用于便携式电子产品、消费类电器以及工业控制模块等场景。其栅极驱动电压范围适中，兼容常见的逻辑电平信号，便于与微控制器或其他驱动电路直接接口。此外，该器件还具备一定的雪崩能量耐受能力，提升了系统在瞬态过压情况下的可靠性。由于其优异的性价比和稳定的技术参数，C4742被广泛用于各类中小功率电源管理应用中，是一款成熟且经过市场验证的功率半导体器件。
型号：C4742
制造商：Toshiba
晶体管类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大漏极电流（Id）：4.4A
导通电阻（Rds(on)）：25mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅源阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
最大功耗（Pd）：1.25W
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOT-223
栅极电荷（Qg）：12nC（典型值）
输入电容（Ciss）：450pF（典型值，Vds=15V）
开启时间（Ton）：15ns（典型值）
关断时间（Toff）：25ns（典型值）
C4742具备出色的导通特性和快速的开关响应能力，这使其在高频开关应用中表现出色。其低导通电阻（Rds(on)）有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效水平，特别适用于电池供电设备中对能耗敏感的应用场景。
该器件采用了优化的沟槽结构设计，提升了载流子迁移率，从而在相同芯片面积下实现了更高的电流承载能力。同时，这种结构也有助于减少寄生电容，进一步提升开关速度并降低动态损耗。
热稳定性方面，C4742通过高效的内部热传导路径将热量迅速传递至封装外部，结合SOT-223封装自带的散热片设计，可在较高环境温度下持续稳定工作。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）确保了在极端环境条件下的可靠性。
在抗干扰能力和耐用性上，C4742具备一定的静电放电（ESD）防护能力，并且能够承受一定程度的重复性电压冲击，增强了在复杂电磁环境中的适应性。其栅氧化层经过严格工艺控制，保证了长期使用的绝缘可靠性和寿命。
由于采用标准表面贴装封装，C4742支持自动化贴片生产，有利于大规模制造，降低组装成本。同时，其引脚排列符合行业通用规范，便于电路设计和PCB布局布线。综合来看，C4742是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的中低压N沟道MOSFET，适合多种现代电子系统中的功率开关需求。
C4742常用于各类直流电源管理系统中，如同步整流式DC-DC降压变换器、负载开关电路、LED驱动电源以及电池充放电控制模块。在这些应用中，它作为主开关元件或同步整流管使用，发挥其低导通电阻和高效率的优势。
在便携式电子设备中，例如智能手机、平板电脑、移动电源等产品中，C4742可用于电源路径管理，实现对外部电源与电池之间的智能切换，保障系统供电的连续性和安全性。
此外，在小型电机驱动电路中，如微型风扇、振动马达或步进电机控制中，C4742可作为H桥电路中的低端开关，提供快速响应和低功耗运行。
工业自动化领域中，该器件也常见于PLC输入输出模块、传感器供电控制、继电器驱动缓冲级等场合，承担小功率负载的通断控制任务。
由于其良好的热性能和紧凑尺寸，C4742同样适用于空间受限但需一定功率处理能力的设计，如智能家居控制板、无线通信模块电源管理单元等。总之，凡是需要一个可靠、高效且易于集成的N沟道MOSFET来执行中低功率开关操作的场合，C4742都是一个理想选择。
SI2302, FDS6670A, AO3400, IRLML6344
