KRC653E-RTK/P 时间：2025/12/28 15:23:26 阅读：10

KRC653E-RTK/P 是由 KEC Corporation 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高效功率开关的电子电路设计。这款 MOSFET 在各种电子设备中被广泛应用，例如电源管理、DC-DC 转换器、电池充电器以及电机控制电路。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（PD）：160W

特性

KRC653E-RTK/P 具有低导通电阻的特点，这使得它在导通状态下的功率损耗非常低，从而提高了整体效率并减少了热量产生。
　　其高电流容量（60A）和60V的漏-源电压额定值，使得这款MOSFET适用于各种中高功率应用。
　　此外，KRC653E-RTK/P 还具有良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持稳定性能，其最大工作温度可达150°C。
　　该器件采用 TO-220 封装形式，这种封装方式便于安装散热片，从而进一步提升散热效率，适用于高功率密度的设计需求。
　　由于其栅极驱动电压范围较宽（最大±20V），KRC653E-RTK/P 可以兼容多种驱动电路设计，增加了其在不同应用中的灵活性。

应用

KRC653E-RTK/P MOSFET 主要用于电力电子变换器、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统等场景。
　　在电源管理方面，它能够有效地提高能量转换效率，减少热量产生，延长设备使用寿命。
　　在电机控制领域，这款MOSFET能够承受较大的电流波动，从而实现对电机速度和扭矩的精确控制。
　　此外，由于其良好的热特性和高可靠性，也常被用于工业自动化设备、汽车电子系统以及新能源设备等对性能要求较高的场合。