KRC406V-RTK 时间：2025/9/12 11:35:04 阅读：13

KRC406V-RTK是一款由KEC公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率控制电路中。该器件采用了先进的平面技术，具有较低的导通电阻和较高的效率，适合于需要高稳定性和高可靠性的应用环境。KRC406V-RTK通常用于DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、电机驱动和各种电源管理电路中。其高耐压能力使其适用于各种高功率应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：10A
　　导通电阻(Rds(on))：最大0.38Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KRC406V-RTK作为一款N沟道MOSFET，具备多项优良的电气和物理特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下的高效能，降低了功率损耗，提高了系统整体效率。此外，KRC406V-RTK具有较高的漏源电压（Vds）额定值，能够承受较高的电压应力，确保在高压应用中的稳定性和可靠性。该器件的栅极驱动电压范围较宽，可以在不同电压条件下正常工作，增加了其应用灵活性。
　　其次，KRC406V-RTK采用了TO-252（DPAK）封装形式，这种封装不仅具有良好的热管理性能，还便于焊接和安装，适用于自动化生产线。TO-252封装通常具有较大的散热片，有助于快速散发工作过程中产生的热量，提高器件的长期稳定性。
　　另外，该MOSFET的热稳定性较强，能够在高温环境下正常工作，适应工业级温度范围（-55°C至150°C），适用于各类恶劣环境。此外，其高抗静电能力（ESD）和较强的抗干扰能力，使其在复杂电磁环境中仍能保持稳定运行。

应用

KRC406V-RTK由于其高耐压和低导通电阻的特性，被广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统中的充放电控制、负载开关以及电机驱动电路等。此外，它也常用于工业控制设备、智能电表、LED照明驱动、电源适配器和各类消费类电子产品中，以提高能效和稳定性。