KRC403V 时间：2025/9/12 11:40:49 阅读：9

KRC403V 是一款由Korea Electronics（KEC）公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高可靠性的功率开关应用，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等领域。由于其优良的热稳定性和导通电阻特性，KRC403V在中低功率应用中表现出色。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大漏极电流（Id）：10A（在Vgs=10V时）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大为9.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　最大功耗（Pd）：47W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KRC403V 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流工作条件下功率损耗大大降低，提高了整体系统的效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在较高温度下保持稳定工作，适合在高温环境下运行的电源系统。
　　KRC403V采用TO-252封装，具备优良的散热性能，有助于提高器件的可靠性并延长使用寿命。该封装形式也便于PCB布局和焊接，适用于自动化生产流程。
　　该MOSFET还具有较高的栅极击穿电压（±20V），增强了在高压或瞬态电压条件下的抗干扰能力，降低了因过压损坏的风险。
　　在电气性能方面，KRC403V的导通阈值电压较低，通常在1V至2.5V之间，这意味着它可以与低压控制电路（如MCU或PWM控制器）直接配合使用，无需额外的驱动电路。

应用

KRC403V 常用于各类电源管理系统，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器和负载开关电路。在电池供电设备中，它可用于高效能的电源切换和保护电路，如笔记本电脑、平板电脑、电动工具和便携式充电器。
　　此外，该器件也适用于电机驱动、LED照明调光以及工业自动化控制系统中的功率开关应用。由于其良好的导通特性和封装散热能力，KRC403V在需要高效率和高可靠性的应用场景中表现出色。