时间:2025/12/28 14:33:56
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KR52S031M是一款由韩国KEC公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优良的热稳定性,适用于各种电源应用,如DC-DC转换器、负载开关、电池充电管理以及电机驱动电路。KR52S031M采用TO-252(DPAK)封装形式,具备良好的散热性能和较高的可靠性。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):80A
导通电阻(Rds(on)):最大3.1mΩ(在Vgs=10V时)
功耗(Pd):100W
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装形式:TO-252(DPAK)
KR52S031M具有多项优异的电气和热性能特性,使其在高功率密度和高效率应用中表现出色。其主要特性包括:低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高整体系统效率;高电流承载能力使其能够处理大电流负载,适用于高功率应用场景;采用先进的沟槽式MOSFET技术,提供更高的开关速度和更低的开关损耗;TO-252封装设计具备良好的散热性能,有助于将热量有效散发,从而提升器件的稳定性和可靠性;同时,该器件符合RoHS环保标准,不含铅和其他有害物质,符合现代电子产品对环保的要求。
此外,KR52S031M的栅极驱动电压范围较宽,通常可在4.5V至20V之间工作,这使其适用于多种栅极驱动电路设计。其具备较高的雪崩能量承受能力,能够在突发高电压条件下提供一定程度的保护,从而提高系统的稳定性和耐用性。
KR52S031M广泛应用于多种功率电子设备中,主要包括:DC-DC转换器(如升压、降压和升降压拓扑结构);同步整流电路;电池管理系统(BMS)中的充放电控制;电机驱动和负载开关;电源管理模块;工业自动化设备;电动车和储能系统的电源控制模块;LED照明驱动电路等。由于其高可靠性和良好的热管理能力,该MOSFET特别适合对空间和效率要求较高的应用。
SiR142DP、IRF142、NTMFS4C10N、FDS4410A