时间：2025/12/28 14:33:06
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KR52S018M 是一款由韩国公司KEC（Korea Electronics Corporation）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效能和高可靠性设计，适用于多种电源管理和功率转换应用。KR52S018M采用先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，使其在高频率开关应用中表现出色。该MOSFET通常封装在TO-220或类似的功率封装中，以确保良好的热管理和散热性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：200V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：18A
导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω（最大值）
功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
存储温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
KR52S018M MOSFET具有多项优良特性，使其在功率电子应用中表现优异。首先，其低导通电阻（Rds(on)）降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。其次，该器件能够承受高达200V的漏源电压，适用于中高压电源应用。此外，18A的连续漏极电流能力使其能够处理高负载电流，适合用于高功率密度设计。该MOSFET的封装设计有助于有效散热，确保在高温环境下稳定运行。此外，其栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路，并提高了设计的灵活性。该器件还具备良好的短路耐受能力和热稳定性，提升了整体系统的可靠性。
KR52S018M MOSFET广泛应用于各种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、马达控制器、电池充电器、逆变器以及工业自动化设备中的电源模块。由于其高效率和高可靠性的特点，该器件特别适用于需要长时间稳定运行的工业和汽车电子系统。此外，KR52S018M也可用于LED照明驱动、太阳能逆变器和家用电器中的电源管理电路。
IRF540N, FQP18N20C, STP18NF20
