时间:2025/12/28 21:00:13
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KPT811HB-L是一款由KODENSHI(古河电气工业株式会社)生产的红外发射二极管(Infrared Emitting Diode, IRED),广泛应用于遥控器、红外通信、传感器等需要红外发射功能的电子设备中。该器件采用了高性能的砷化镓(GaAs)材料,具有较高的发射效率和稳定性。KPT811HB-L采用标准的5mm圆头封装形式,便于安装和使用,并具备良好的指向性和发射角度控制能力,适合多种红外遥控和传感应用场景。
类型:红外发射二极管
封装形式:5mm 圆头(T-1 3/4)
发射波长:约 940 nm
正向电压(VF):1.2 V(典型值)
正向电流(IF):100 mA(最大值)
峰值正向电流(IFP):1.5 A
反向电压(VR):5 V
发射强度(IV):600 mcd(典型值,20 mA时)
视角(2θ1/2):约 15°
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
存储温度范围:-40°C ~ +100°C
KPT811HB-L红外发射二极管具备高发射效率和稳定的光输出性能,适用于各种红外遥控和数据通信应用。其940nm的发射波长避开了可见光范围,从而降低了环境光对红外接收端的干扰,提高了系统的抗干扰能力和可靠性。
该器件的正向电压较低,典型值为1.2V,使其在低功耗设计中具有优势,适合电池供电设备使用。最大正向电流可达100mA,峰值电流可达1.5A,支持脉冲驱动方式,适用于红外遥控信号的脉冲调制需求。
KPT811HB-L采用5mm圆头封装,外形紧凑且易于安装,具有良好的机械强度和耐久性。其视角为15°,确保了较高的指向性和发射集中度,适用于需要精准对准的应用场景。
该红外发射二极管的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于广泛的工业和消费类电子产品,具备良好的温度稳定性和环境适应性。其存储温度范围为-40°C至+100°C,确保在各种存储和运输条件下的可靠性。
此外,KPT811HB-L符合RoHS环保标准,不含铅、镉等有害物质,满足现代电子产品对环保材料的要求。
KPT811HB-L常用于各类红外遥控器中,如电视、空调、音响等家电的遥控设备。其高发射效率和稳定性能确保了遥控信号的稳定传输和远距离操作能力。
在红外通信领域,该器件适用于红外数据传输(IrDA)和无线传感器网络中的红外发射端,支持高速数据调制和可靠通信。
该红外发射二极管也可用于红外接近传感器、光电开关、自动门控系统等工业和消费类电子产品中的传感应用,提供稳定的红外光源。
此外,KPT811HB-L还广泛应用于安防监控系统、玩具遥控、智能家电和家庭自动化设备中,作为红外发射元件实现无线控制和数据交互功能。
VS1838B, IR2M811-H, LIRC-811