类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：50A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 40mΩ（在Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247
　　晶体管配置：单管

CS50N20ANH MOSFET 的关键特性之一是其高达 200V 的漏源耐压能力，使其能够在高压环境中稳定工作，例如用于高压电源转换器或工业电机控制。该器件在 10V 栅极驱动电压下，Rds(on) 最大为 40mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，CS50N20ANH 支持高达 50A 的连续漏极电流，适用于需要大电流承载能力的应用场景。该器件采用 TO-247 封装，具有良好的热性能和散热能力，适用于高功率密度设计。CS50N20ANH 的栅极驱动电压范围为 ±30V，确保在各种驱动电路中的兼容性与稳定性。此外，该 MOSFET 具备较高的热阻特性，能够在高温环境下维持可靠运行，适用于工业控制、电源系统、DC-DC 转换器等对可靠性和性能要求较高的场合。
　　从制造工艺上看，CS50N20ANH 采用了先进的沟槽栅极技术，使得其在保持低导通电阻的同时，具备较高的开关速度和较低的开关损耗。这种特性使得它非常适合用于高频开关应用，如同步整流、高频逆变器等。同时，该器件具备良好的抗雪崩能力和过热保护能力，能够在恶劣工作条件下保持稳定运行。CS50N20ANH 的封装设计也支持高效的热管理，便于在高功率应用中实现良好的散热效果。

CS50N20ANH 主要用于需要高电压、高电流和高效能的功率电子系统中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、逆变器、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高压能力和低导通电阻，CS50N20ANH 也非常适合用于新能源领域，如太阳能逆变器、电动汽车充电系统和储能设备中的功率开关。此外，该 MOSFET 还广泛应用于服务器电源、工业电源、LED 照明驱动以及家电控制电路等场景，适用于对功率密度和能效有较高要求的设计。

SiHP20N60ED, FDPF50N20, STP55N20D2AG, IXFH50N20P