时间：2025/9/12 9:41:44
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KPC814是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由韩国制造商Korean Electronics Technology Co., Ltd.生产。该器件专为高效率电源管理应用设计，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性。KPC814通常采用TO-220或DPAK（SMD）封装形式，适用于需要高电流和高频率操作的电路。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：140A（在Tc=25℃时）
导通电阻(Rds(on))：小于2.5mΩ（典型值）
最大功耗(Pd)：160W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-220 / DPAK
KPC814的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得该MOSFET在高电流条件下能够保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。此外，其高电流承载能力（高达140A）使其适用于大功率开关电源、DC-DC转换器和电机驱动器等应用。KPC814的栅极驱动电压设计允许在标准逻辑电平（如5V或10V）下工作，简化了与控制器IC的接口设计。
KPC814还具备良好的热稳定性和抗冲击能力，确保在高负载和高温环境下仍能保持稳定运行。该器件的封装设计（如TO-220）便于散热，适用于需要良好热管理的高功率应用。此外，其快速开关特性可降低开关损耗，适用于高频电源转换应用，例如同步整流器、马达控制器和电源管理系统。
由于其高可靠性和出色的电气性能，KPC814被广泛用于工业自动化设备、电源模块、电池管理系统（BMS）以及电动汽车充电设备等应用领域。
KPC814适用于多种功率电子应用，包括但不限于：高效率DC-DC降压和升压转换器、同步整流电源、马达驱动器、电池充电器、逆变器、电源管理系统（PSU）、工业控制设备以及大功率LED驱动器。此外，该MOSFET也可用于需要高电流开关能力的自动化控制系统和嵌入式硬件平台。
IRF1404, STP150N6F6, SiR142DP
