KP8N65D-RTF/H是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及节能照明等高频率、高效率的功率转换场合。该器件采用先进的高压工艺技术制造,具有优异的导通电阻和开关特性。KP8N65D-RTF/H采用TO-252(DPAK)封装形式,具备良好的热性能和空间利用率,适用于各种中小型功率电子设备。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):650V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):8A
导通电阻(RDS(on)):典型值为0.75Ω
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-252(DPAK)
KP8N65D-RTF/H具有出色的电气性能和稳定的工作表现。其主要特性包括:
1. 高耐压能力:漏源电压高达650V,使得该器件能够适应高压工作环境,适用于开关电源和各种功率转换电路。
2. 低导通电阻:典型值为0.75Ω的RDS(on)有效降低了导通损耗,提高整体效率,同时减少发热。
3. 快速开关特性:优化的开关性能使得KP8N65D-RTF/H在高频率工作下依然保持稳定,适用于高频DC-DC转换器和照明电子镇流器。
4. 热稳定性强:采用TO-252(DPAK)封装形式,具备优良的散热能力,确保在高功率工作条件下的可靠性。
5. 高可靠性设计:该器件符合工业级工作温度范围(-55°C至150°C),确保在极端环境下的稳定运行。
6. 安全保护特性:具备良好的抗雪崩击穿能力和过热保护性能,延长使用寿命并提高系统安全性。
7. 封装优势:TO-252(DPAK)封装体积小,适合自动化生产和SMT工艺,提高生产效率。
KP8N65D-RTF/H广泛应用于多种功率电子设备中,主要包括:
1. 开关电源(SMPS):作为主开关或同步整流器件,用于高效AC-DC转换系统。
2. DC-DC转换器:适用于升压(Boost)和降压(Buck)电路,提供高效的电压转换方案。
3. LED驱动电路:用于节能照明系统中的恒流控制和功率调节。
4. 电机控制:在小型电机驱动电路中作为功率开关,实现高效的电机调速控制。
5. 逆变器与UPS系统:用于不间断电源和光伏逆变器中的功率开关器件,提升系统能效。
6. 电子镇流器:应用于节能灯和荧光灯电子镇流器电路中,实现高频启动和高效运行。
7. 电池管理系统:用于电池充放电保护电路中的开关控制元件,提高电池使用效率。
FQP8N65C, IRF840, STP8NK60Z, 2SK2545