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MT15N2R2C500CT 发布时间 时间:2025/7/2 12:46:57 查看 阅读:5

MT15N2R2C500CT 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,适用于各种高效的电力转换场景。
  这款 MOSFET 的额定电压为 500V,适用于需要较高耐压的应用环境,例如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等。其优化的封装形式有助于提升散热性能,从而提高整体系统的可靠性。

参数

最大漏源电压:500V
  最大连续漏极电流:15A
  导通电阻(典型值):2.2mΩ
  栅极电荷(典型值):38nC
  输入电容(典型值):1200pF
  最大功耗:204W
  结温范围:-55℃ 至 150℃
  封装形式:TO-247

特性

1. 高击穿电压:500V 的漏源电压使其能够承受更高的电压波动,适合于高压环境下的应用。
  2. 极低的导通电阻:在大电流条件下能有效降低传导损耗,提高系统效率。
  3. 快速开关能力:由于栅极电荷较低,开关速度更快,可减少开关损耗。
  4. 高效热管理:采用 TO-247 封装,提供良好的散热性能,延长器件使用寿命。
  5. 稳定性强:能在较宽的温度范围内正常工作,确保在恶劣环境中的可靠运行。
  6. 低反向恢复电荷:减少了开关瞬态过程中的振荡,提高了系统稳定性。

应用

1. 开关电源(SMPS):
  MT15N2R2C500CT 可用作主开关管或同步整流管,以实现高效能量转换。
  2. DC-DC 转换器:
  适用于降压或升压型转换器,在汽车电子、工业控制等领域中广泛使用。
  3. 电机驱动:
  支持无刷直流电机(BLDC)和其他类型的电机控制,满足高效驱动需求。
  4. 逆变器:
  可用于太阳能逆变器和 UPS 系统,实现稳定可靠的功率输出。
  5. 充电器:
  适配快速充电器设计,提供高效的能量传输和更低的热量积累。

替代型号

IRF540N, FQP16N50C, STP15NF50

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MT15N2R2C500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.07250卷带(TR)
  • 系列MT
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2.2 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-