MT15N2R2C500CT 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,适用于各种高效的电力转换场景。
这款 MOSFET 的额定电压为 500V,适用于需要较高耐压的应用环境,例如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等。其优化的封装形式有助于提升散热性能,从而提高整体系统的可靠性。
最大漏源电压:500V
最大连续漏极电流:15A
导通电阻(典型值):2.2mΩ
栅极电荷(典型值):38nC
输入电容(典型值):1200pF
最大功耗:204W
结温范围:-55℃ 至 150℃
封装形式:TO-247
1. 高击穿电压:500V 的漏源电压使其能够承受更高的电压波动,适合于高压环境下的应用。
2. 极低的导通电阻:在大电流条件下能有效降低传导损耗,提高系统效率。
3. 快速开关能力:由于栅极电荷较低,开关速度更快,可减少开关损耗。
4. 高效热管理:采用 TO-247 封装,提供良好的散热性能,延长器件使用寿命。
5. 稳定性强:能在较宽的温度范围内正常工作,确保在恶劣环境中的可靠运行。
6. 低反向恢复电荷:减少了开关瞬态过程中的振荡,提高了系统稳定性。
1. 开关电源(SMPS):
MT15N2R2C500CT 可用作主开关管或同步整流管,以实现高效能量转换。
2. DC-DC 转换器:
适用于降压或升压型转换器,在汽车电子、工业控制等领域中广泛使用。
3. 电机驱动:
支持无刷直流电机(BLDC)和其他类型的电机控制,满足高效驱动需求。
4. 逆变器:
可用于太阳能逆变器和 UPS 系统,实现稳定可靠的功率输出。
5. 充电器:
适配快速充电器设计,提供高效的能量传输和更低的热量积累。
IRF540N, FQP16N50C, STP15NF50