类型：各向异性磁阻（AMR）传感器
　　轴数：双轴（X和Y）
　　供电电压：4.5V 至 5.5V 典型 5V
　　工作电流：约 30mA
　　输出类型：模拟电压输出
　　灵敏度：典型 1 mV/V/Oe（毫伏每伏每奥斯特）
　　零场输出电压：约 50% Vcc（2.5V @ 5V供电）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：DIP-8 或 SOIC-8
　　磁场测量范围：±6 Oe（奥斯特）典型
　　响应频率：DC 至 数百Hz
　　温漂：内置温度补偿，典型小于 ±0.5% FSO/°C
　　桥臂电阻：约 1.5kΩ 每个电桥

KMZ10C的核心特性之一是其基于各向异性磁阻效应的高灵敏度磁场检测能力。AMR效应源于铁磁材料（如坡莫合金）中电阻随外加磁场方向与电流方向夹角变化而变化的现象。这种效应比传统的霍尔效应更为显著，尤其是在弱磁场条件下，KMZ10C展现出更高的信噪比和分辨率。其双轴结构允许同时测量平面内的两个正交磁场分量，通过计算这两个分量的反正切值，可以精确确定磁场的方向，进而实现角度测量功能，精度可达到±1°以内，特别适用于电子罗盘和旋转位置检测系统。
　　另一个重要特性是其内置的信号调理和温度补偿机制。由于磁阻元件本身具有一定的温度依赖性，若不加以补偿，会导致输出漂移，影响测量精度。KMZ10C通过集成温度补偿电路有效抑制了这种漂移，确保在-40°C至+125°C的宽温度范围内仍能维持稳定的输出特性。此外，每个磁阻电桥都经过激光修调以保证初始对称性和零场输出的准确性，从而减少系统校准的复杂度。
　　该器件还具备良好的线性度和重复性，磁场响应曲线在±6 Oe范围内呈近似线性关系，非线性误差小于±1% FSO（满量程输出）。这一特性使得它在需要高精度连续测量的应用中表现优异。同时，由于其响应频率从直流开始，能够准确捕捉静态和缓慢变化的磁场信息，适合用于低频或稳态磁场监测场景。
　　KMZ10C的封装设计也增强了其实用性。DIP-8或SOIC-8的小型化封装不仅节省PCB空间，而且引脚兼容性强，易于替换和批量生产。其模拟输出接口简单，无需复杂的通信协议，降低了系统设计门槛。尽管没有数字接口，但配合外部ADC和MCU即可轻松实现数字化处理和智能算法融合，例如卡尔曼滤波或磁场校正算法，进一步提升系统整体性能。

KMZ10C广泛应用于需要高精度角度或方向检测的场合。最常见的用途之一是作为电子罗盘的核心传感器，用于导航设备、手持终端、无人机和机器人中，实现地理方位的实时感知。其双轴输出可通过软件算法解算出绝对角度，且不受设备倾斜影响（在水平状态下），因此非常适合便携式定向仪器。
　　在工业自动化领域，KMZ10C常被用于电机转子位置检测，特别是在无刷直流电机（BLDC）控制系统中，作为换相参考信号源。相比光学编码器，AMR传感器不受灰尘、油污等环境因素影响，可靠性更高。此外，它也可用于旋转编码器模块中，提供非接触式的角度反馈，适用于伺服系统和精密机械控制。
　　汽车电子是另一大应用方向。KMZ10C可用于方向盘转角传感器、踏板位置检测、变速箱档位识别等系统中。其宽温特性和抗振动能力满足车规级要求，能够在恶劣的车载环境中稳定运行。同时，由于其对磁场变化的高灵敏度，也被用于车轮速度传感器，辅助ABS或ESC系统进行轮速监测。
　　其他应用还包括流量计中的叶轮旋转检测、安全门开关状态感应、智能家居中的旋转旋钮识别以及医疗设备中的运动部件位置监控。由于其非接触、长寿命、高精度的特点，KMZ10C在替代传统机械电位器方面也显示出巨大潜力，尤其在需要频繁调节且要求高耐久性的场景中。

KMZ11B
　　KMZ12B
　　KMZ51_52