时间：2025/7/31 15:42:00
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KMR231NG LFS 是由 KEC Corporation（现为 Kinetic Technologies）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，具有较低的导通电阻和快速的开关速度，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 Vds：30V
栅源电压 Vgs：±20V
漏极电流 Id：60A（连续）
导通电阻 Rds(on)：3.5mΩ（最大值，Vgs=10V）
功耗：125W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：LFPAK56（也称为 Power56 或 PDFN5x6-5）
极数：3 引脚
KMR231NG LFS 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，具有出色的导通和开关性能。其导通电阻低至 3.5mΩ，确保在高电流应用中保持较低的功率损耗。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度并减少驱动电路的负担。
这款 MOSFET 采用 LFPAK56 封装，是一种无引脚的表面贴装封装，具备良好的热性能和机械稳定性，适用于高密度 PCB 设计。其封装结构还减少了寄生电感，有助于在高频开关条件下保持稳定的性能。
KMR231NG LFS 的最大漏极电流可达 60A，适合用于高功率密度的电源系统。其栅源电压范围为 ±20V，提供了良好的栅极控制灵活性，同时内置的栅极保护二极管增强了器件的可靠性。
此外，该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，具有良好的温度适应能力，适合工业和汽车电子等严苛环境下的应用。
KMR231NG LFS 主要用于需要高效率和高功率密度的电子系统中。典型应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源管理模块和工业自动化设备。
在电源管理领域，该器件可作为主开关或同步整流器使用，提供高效率的功率转换。在电池管理系统中，KMR231NG LFS 可用于充放电控制，确保电池组的安全运行。在电机控制中，该 MOSFET 可用于 H 桥电路中的上下桥臂开关，提供快速响应和低功耗的控制方案。
由于其优异的热性能和紧凑的封装形式，KMR231NG LFS 也广泛应用于空间受限的便携式设备和汽车电子系统中。
SiSS62DN, IRF6604, NexFET CSD17551Q5A, AO4468
