KMPS8050D 时间：2025/9/12 8:56:10 阅读：11

KMPS8050D 是一款常用的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路和功率放大器等领域。该器件具有高耐压、低导通电阻以及良好的热稳定性，适用于多种中高功率电子设备。KMPS8050D 通常采用 TO-252（DPAK）封装，便于散热和安装。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：50A
　　最大漏-源电压（VDS）：100V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤7.5mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KMPS8050D 具有多个优良的电气和热性能特性。其主要特点包括：
　　1. **低导通电阻**：RDS(on) 典型值为 7.5mΩ，可显著降低导通损耗，提高系统效率，适用于高电流应用。
　　2. **高耐压能力**：漏-源电压（VDS）最大可达 100V，适合中高功率应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动和电池管理系统。
　　3. **高电流承载能力**：最大漏极电流为 50A，能够满足高负载需求，适合用于功率开关和负载切换电路。
　　4. **良好的热稳定性**：TO-252 封装具有良好的散热性能，可在较高温度下稳定工作，提升器件的可靠性与寿命。
　　5. **栅极驱动兼容性**：栅极驱动电压范围宽，通常在 4.5V~20V 之间，可与常见的 PWM 控制器或驱动 IC 配合使用，简化电路设计。
　　6. **短路和过载保护能力强**：由于其低导通电阻和良好的热设计，KMPS8050D 在短时间过载或短路情况下仍能保持稳定运行。

应用

KMPS8050D 被广泛应用于各种电力电子系统中。主要应用领域包括：
　　1. **电源管理**：用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电源模块等，以提高转换效率并减少热量产生。
　　2. **电机驱动**：适用于无刷直流电机（BLDC）控制器、步进电机驱动器等场合，提供高效的功率开关功能。
　　3. **电池管理系统**：用于电池充放电控制、保护电路等，确保电池安全运行。
　　4. **工业控制**：在工业自动化系统中作为功率开关，用于控制继电器、电磁阀、加热元件等负载。
　　5. **汽车电子**：广泛应用于汽车电源系统、车载充电器、电动助力转向系统等，满足汽车环境下的高可靠性和耐久性要求。
　　6. **消费类电子产品**：如笔记本电脑电源适配器、平板电脑电源管理模块等，提供高效、小型化的功率解决方案。