KMD7D5P40QA 时间：2025/9/11 14:12:59 阅读：33

KMD7D5P40QA是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，适用于高效率、高频率的电源转换应用。该器件采用先进的沟槽式（Trench）MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适合用于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器及负载开关等场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：7.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：50mΩ（最大值）
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

KMD7D5P40QA采用东芝的Trench MOSFET结构，优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，适用于高效率的功率转换设计。其低Rds(on)特性有助于降低导通损耗，从而提高系统效率并减少散热需求。该器件的栅极设计使其在高频工作条件下仍能保持良好的开关性能，适用于高频DC-DC转换器等应用。
　　此外，KMD7D5P40QA具备较高的热稳定性和耐久性，能够在高温环境下稳定运行。其TO-252（DPAK）封装形式适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和散热管理。该器件还具备良好的抗静电能力，提高了在实际应用中的可靠性。
　　由于其优异的电气特性和热性能，KMD7D5P40QA广泛应用于各类便携式设备、计算机电源、服务器电源、电信设备电源、LED照明驱动器以及工业自动化设备。