类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：80V
　　集电极-基极电压（VCBO）：100V
　　发射极-基极电压（VEBO）：7V
　　集电极电流（IC）：3A
　　功耗（PD）：1W（或根据具体封装而定）
　　直流电流增益（hFE）：100～400（典型值，测试条件IC = 500mA）
　　特征频率（fT）：约150MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-89（表面贴装）

2SD2396K具备优异的电流放大能力和高频响应特性，使其在音频放大器和信号处理电路中表现出色。其直流电流增益hFE在典型工作条件下可达到100至400之间，确保了在不同负载条件下仍能维持稳定的放大性能。这种宽范围的增益分布经过合理的设计匹配后，能够有效降低电路调试难度，并提升整体系统的线性度和信噪比。该晶体管的最大集电极电流可达3A，允许其在较高功率输出的应用中作为驱动级使用，例如驱动继电器、LED阵列或小型电机等负载。
　　该器件的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）较低，在大电流下仍能保持较小的导通损耗，有助于提高电源效率并减少发热问题。结合其1W左右的额定功耗和SOT-89封装良好的散热设计，使得2SD2396K在紧凑型高密度电路板上也能实现可靠的长期运行。此外，该晶体管具有较高的特征频率fT（约150MHz），意味着它不仅适用于直流和低频开关操作，还能胜任部分射频或高速脉冲应用场合。
　　2SD2396K采用了先进的硅外延平面技术，提升了器件的一致性和可靠性。其结构设计优化了载流子传输路径，减少了内部寄生电容，从而改善了高频下的响应速度和开关瞬态表现。该晶体管还具备良好的温度稳定性，即使在极端环境温度下也能维持关键参数的可控变化范围，避免因温漂导致系统性能下降。整体而言，2SD2396K是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的通用型中功率晶体管，特别适合用于便携式设备、家用电器控制板、DC-DC转换器以及各类接口驱动电路中。

2SD2396K常被用于音频放大电路中作为前置或末级放大元件，尤其适用于对失真度要求较高的模拟信号处理系统。其高增益和良好线性特性使其成为耳机放大器、麦克风前置放大器以及小型音响设备的理想选择。此外，在开关电源（SMPS）设计中，该晶体管可用于PWM控制回路中的驱动级，用以控制主功率MOSFET或IGBT的栅极充放电过程，从而实现精确的电压调节与动态响应。
　　在工业自动化领域，2SD2396K也广泛应用于继电器驱动、电磁阀控制和传感器信号调理电路中，凭借其较强的电流驱动能力和快速响应速度，能够高效地完成高低电平之间的电平转换与隔离功能。同时，由于其支持表面贴装安装方式，非常适合自动化生产线进行大规模焊接组装，提高了生产效率和产品一致性。
　　消费类电子产品如电视、机顶盒、路由器等内部的电源管理模块也常采用此类晶体管作为稳压反馈环路的一部分。另外，在电池供电设备中，2SD2396K可用于构建简单的升压或降压拓扑结构，辅助实现电压变换与节能控制。总之，其多功能性与高适应性使其成为电子工程师在多种应用场景下值得信赖的核心元器件之一。

MMBT3904、2SC3838、BCX56-10、ZXTN25020DFH