KMB4D5DN60QA 时间：2025/9/12 13:09:59 阅读：4

KMB4D5DN60QA是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）模块，专为高功率应用设计。该模块采用双N沟道MOSFET结构，适用于需要高效能和高可靠性的场合，例如工业电源、电机驱动、电动车系统和太阳能逆变器等。KMB4D5DN60QA具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性，能够有效降低功率损耗并提升整体系统效率。

参数

类型：双N沟道MOSFET模块
　　漏源电压（Vds）：60V
　　漏极电流（Id）：40A（每个通道）
　　导通电阻（Rds(on)）：5mΩ（最大值）
　　栅极驱动电压：10V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：双列直插式（DIP）模块封装
　　短路耐受能力：具备
　　热阻（Rth）：典型值0.45°C/W

特性

KMB4D5DN60QA MOSFET模块具有多项先进的电气和热性能特性。首先，其双N沟道MOSFET结构使得该模块能够在高电流条件下保持稳定的性能，同时具备较低的导通电阻（Rds(on)），从而显著减少导通损耗。这种低电阻特性对于提高电源转换效率至关重要。
　　其次，该模块支持高达60V的漏源电压和40A的连续漏极电流，使其适用于中高功率的应用场景。此外，KMB4D5DN60QA具备优异的热管理能力，模块内部采用了高效的散热结构，确保在高负载下仍能维持较低的工作温度，从而提高系统的可靠性和寿命。
　　另外，该MOSFET模块具有良好的短路保护能力，能够在异常工作条件下防止器件损坏，增强了系统的安全性和稳定性。其模块化封装设计也便于安装和散热管理，适合在空间受限但需要高功率密度的电路中使用。

应用

KMB4D5DN60QA广泛应用于各种高功率电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。常见的应用包括工业电源、不间断电源（UPS）、直流电机驱动器、电动车（EV）充电系统、太阳能逆变器以及高功率DC-DC转换器。由于其双N沟道MOSFET结构和优异的热管理性能，该模块特别适合用于需要频繁开关操作和高电流负载的场合，能够有效提升系统的整体效率并减少能量损耗。
　　此外，KMB4D5DN60QA还适用于各种自动化设备、工业机器人和高功率LED照明系统中的电源管理模块。其坚固的封装设计和良好的环境适应能力使其能够在严苛的工作条件下稳定运行。