时间：2025/9/12 14:51:49
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KMB3D0P30SA是一种表面贴装（SMD）功率MOSFET，通常用于高效率的电源管理和功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热性能，适合用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等领域。KMB3D0P30SA采用先进的沟槽式MOSFET技术，能够在高频率下保持优异的性能，同时降低开关损耗和导通损耗。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：120A（@25°C）
导通电阻（Rds(on)）：0.95mΩ（@Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：160W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：DFN（双扁平无引脚封装）
KMB3D0P30SA具备多个高性能特性，使其在电源管理和功率控制应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。其次，该MOSFET采用了先进的沟槽结构设计，使得在高频操作下仍能保持良好的稳定性和低开关损耗。此外，该器件具有优异的热管理能力，能够有效地将热量传导到PCB上，从而提升器件的可靠性和寿命。KMB3D0P30SA还具备高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压情况下保持稳定运行，避免因电压尖峰导致的器件损坏。其DFN封装不仅节省空间，还提供了良好的电气连接和热性能，适用于高密度PCB设计。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于现代电子产品对环保材料的要求。
KMB3D0P30SA广泛应用于多种电源管理领域，包括但不限于：DC-DC转换器（如同步降压转换器）、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）、服务器和通信设备电源、工业自动化控制系统以及电动汽车和储能系统中的功率控制模块。
KMB3D0P30SA的替代型号包括SiS828DN、NTMFS5C410N、IRLHS3917等。
