时间：2025/6/16 19:45:45
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IRFI640GPBF是一款由Infineon（英飞凌）生产的N沟道增强型MOSFET功率场效应晶体管。该器件采用TO-247封装形式，适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种功率控制电路中。其高效率和低导通电阻的特性使其在需要高性能功率管理的应用中表现出色。
IRFI640GPBF的最大漏源电压为500V，具有快速开关速度和较低的栅极电荷，能够有效减少开关损耗，从而提升整体系统效率。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：18A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：35nC
总电容：290pF
最大功耗：180W
工作结温范围：-55℃至+175℃
IRFI640GPBF采用了先进的硅处理工艺，具备以下主要特性：
1. 高击穿电压：高达500V的漏源电压确保了其能够在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻：在高电流条件下降低导通损耗，提高效率。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷和输出电容使得该器件能够实现快速开关，适合高频应用。
4. 耐热增强型封装：TO-247封装有助于改善散热性能，支持长时间高负载运行。
5. 广泛的工作温度范围：从-55℃到+175℃的结温范围使其能够在极端环境条件下使用。
6. 可靠性高：经过严格测试，满足工业级标准，适用于各种严苛应用场合。
IRFI640GPBF广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于功率变换和稳压。
2. DC-DC转换器：提供高效的直流电压转换。
3. 电机驱动：用于无刷直流电机和步进电机的驱动控制。
4. 工业自动化设备：如可编程逻辑控制器（PLC）中的功率控制部分。
5. 照明系统：例如LED驱动电路中的功率调节。
6. 太阳能逆变器：实现太阳能电池板的能量转换与并网功能。
7. 电动车及混合动力车的功率管理系统：用于电池管理和电机控制。
IRFI640G,
STP18NF50,
FDP18N50,
IXFN50N18
