KMB035N40DC 时间：2025/12/28 14:41:28 阅读：8

KMB035N40DC 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，主要用于高频率开关应用。这款MOSFET设计用于高效的功率转换，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和电池供电设备等场景。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：400V
　　连续漏极电流（ID）：35A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.035Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（PD）：150W

特性

KMB035N40DC MOSFET具备低导通电阻特性，能够有效降低功率损耗并提高系统的整体效率。其高耐压特性使其适用于400V等级的高压电路应用。
　　此外，这款MOSFET采用了先进的沟槽式栅极结构，提高了开关性能，降低了开关损耗，适合在高频开关环境中使用。同时，其良好的热稳定性确保了在高温条件下依然能够稳定运行。
　　该器件的TO-220封装形式具备良好的散热能力，便于安装在散热片上，适用于中高功率应用。KMB035N40DC的栅极驱动电压范围较宽，支持标准的10V或增强型的12V至15V驱动，从而实现更快的开关速度和更低的导通压降。

应用

KMB035N40DC广泛应用于各种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、UPS系统、电机控制电路以及各种工业自动化设备。由于其高效率和高频特性，也常用于LED照明驱动电源和家电控制模块中。
　　在电源设计中，该器件可用于同步整流以提高转换效率，也可作为主开关管用于反激式或正激式变换器中。在电池管理系统中，它可用于充放电控制开关，确保系统安全可靠运行。
　　此外，由于其具备良好的抗冲击能力和热稳定性，KMB035N40DC还适用于需要频繁启停或负载变化较大的应用场合，如电动车控制器、太阳能逆变器和电焊机等。