时间：2025/5/14 16:35:16
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BSS8402DW是一款N沟道增强型MOSFET（场效应晶体管），主要应用于低压开关电路、负载开关以及信号切换等场景。该器件采用SOT-23封装，具有小体积、高效率和低导通电阻的特点，非常适合便携式设备和其他空间受限的应用。
最大漏源电压Vds：20V
最大栅源电压Vgs：±10V
最大连续漏电流Id：0.5A
导通电阻Rds(on)：2.7Ω（在Vgs=4.5V时）
功耗Pd：270mW
工作温度范围：-55℃至+150℃
BSS8402DW的主要特性包括：
1. 高开关速度，适合高频应用。
2. 极低的输入电容和输出电容，有助于减少开关损耗。
3. 小尺寸SOT-23封装，节省PCB空间。
4. 静态功耗极低，适用于电池供电设备。
5. 良好的热稳定性，可在较宽的温度范围内可靠工作。
6. 具备较高的雪崩击穿能力和短路耐受能力，增强了器件的可靠性。
BSS8402DW广泛应用于以下领域：
1. 手机和便携式电子设备中的负载开关。
2. 数据通信设备中的信号切换。
3. 电源管理模块中的功率开关。
4. 各种小型化消费类电子产品中的保护电路。
5. 电池管理系统中的充放电控制电路。
6. 电机驱动和LED驱动中的开关元件。
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