KMA3D6P20SA 时间：2025/12/28 14:37:35 阅读：10

KMA3D6P20SA是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET模块，广泛用于工业、汽车和能源管理等领域。该模块采用先进的封装技术，具备高电流能力和优异的热性能，适用于需要高效率和高可靠性的应用环境。

参数

类型：功率MOSFET模块
　　最大漏极电流：20A
　　漏极-源极电压：600V
　　栅极-源极电压：±20V
　　导通电阻：60mΩ
　　封装类型：双列直插式（DIP）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　热阻：0.5°C/W
　　功耗：150W

特性

KMA3D6P20SA具有低导通电阻的特点，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。其高耐压能力使其适用于高电压应用，如电源转换器和电机驱动器。此外，该模块采用先进的封装技术，具有良好的散热性能，能够在高温环境下稳定运行。
　　该模块的栅极驱动电压范围宽，支持±20V，这使其适用于多种栅极驱动电路设计。其高可靠性和长寿命特性使其在工业自动化、汽车电子和可再生能源系统中得到广泛应用。
　　KMA3D6P20SA还具备优异的短路耐受能力和抗过载能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行。其封装设计符合RoHS环保标准，适用于需要环保材料的电子设备。