类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：7A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为1.2Ω（在Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220

KM705N具有多项优良特性，使其适用于多种功率电子设备。首先，其最大漏源电压达到500V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源系统。其次，该MOSFET的最大连续漏极电流为7A，在25℃环境温度下可提供稳定的电流输出，适用于中等功率级别的应用。此外，KM705N的导通电阻Rds(on)典型值为1.2Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。其栅源电压范围为±30V，具备较好的抗过压能力，确保在复杂电磁环境下稳定工作。
　　在封装方面，KM705N采用TO-220封装形式，具备良好的散热能力，有助于提高器件在高功率工作状态下的可靠性。该器件的工作温度范围为-55℃至+150℃，适应性强，适用于各种恶劣环境条件下的应用，如工业控制、家电电源、照明系统等。此外，KM705N具备快速开关特性，适用于高频开关电源设计，有助于减小电源体积并提升效率。

KM705N适用于多个功率电子应用领域。在电源管理系统中，常用于开关电源（SMPS）、AC-DC转换器和DC-DC转换器的主开关器件，以实现高效的能量转换。在家电领域，如LED照明、电风扇和空调等产品中，KM705N可用于驱动电机或控制电源输出。此外，在工业自动化控制中，该MOSFET可用于PLC模块、继电器驱动和负载开关控制。由于其具备良好的耐压能力和热稳定性，也适用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电池管理系统等新能源相关应用。

KSC2460, IRF740, 2SK2225