型号：KM41C464Z-10
　　类型：FPM DRAM
　　容量：4 Mbit
　　组织结构：1M × 4
　　封装形式：32-SOJ
　　工作电压：5V ± 10%
　　访问时间：100 ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　刷新周期：8 ms（典型值）
　　数据宽度：4位
　　地址复用：是，采用RAS/CAS地址分时复用
　　电源电流：典型工作电流约 80 mA
　　封装引脚数：32
　　制造工艺：CMOS

KM41C464Z-10作为一款典型的FPM DRAM（快速页模式动态随机存取存储器），在20世纪90年代中期的计算机架构中扮演了重要角色。其核心特性之一是支持快速页模式访问，这一机制允许在保持同一行地址有效的情况下，连续对不同列地址进行读写操作，从而显著提升数据访问效率。相比早期的标准DRAM模式，FPM减少了每次访问所需的完整地址建立时间，仅需更新列地址即可完成后续访问，因此特别适用于需要连续读取多个相邻数据的应用场景，如图形显示缓冲、内存扫描和批量数据传输等。
　　该芯片采用动态存储单元结构，每个存储位由一个晶体管和一个电容组成，必须定期刷新以维持数据完整性。KM41C464Z-10支持多种刷新模式，包括集中刷新和分布式刷新，系统可通过控制RAS和CAS信号组合实现自动刷新或自刷新功能。这使得它能够在低功耗待机状态下维持数据不丢失，同时保证正常运行时的稳定性。此外，其5V供电设计兼容当时主流的TTL逻辑电平，便于与各类CPU和控制器直接接口，无需额外的电平转换电路。
　　在物理特性方面，KM41C464Z-10采用32引脚SOJ或DIP封装，具有良好的散热性能和焊接可靠性，适合波峰焊和回流焊工艺。其地址总线采用复用技术，将行地址和列地址分时输入，有效减少了引脚数量，降低了PCB布线复杂度。虽然其100ns的访问时间在当今看来较慢，但在其时代背景下仍能满足80486、Pentium初代处理器系统的内存需求。由于现已停产，该芯片主要见于维修替换或复古计算领域，部分工业设备仍在使用基于此类DRAM的主板，因此对其特性的理解有助于维护老旧系统的正常运行。

KM41C464Z-10主要用于20世纪90年代的个人计算机、工控机、打印机、网络交换设备以及一些专用嵌入式系统中，作为主内存模块的核心组件。由于其4Mbit容量和1M×4位的组织结构，常被用于SIMM（单列直插内存模块）的设计中，多个该型号芯片并联可构成16位或32位宽的数据总线，满足x86架构处理器的内存接口要求。典型应用包括486主板、早期Pentium系统、工业自动化控制器、医疗设备中的图像缓存单元以及老式路由器或集线器的缓冲存储器。
　　在图形终端和文字处理设备中，KM41C464Z-10也被用于视频内存（VRAM）的替代方案，通过快速页模式实现屏幕刷新所需的数据连续读取。此外，在一些需要长期稳定运行且不频繁升级的工业控制系统中，这类FPM DRAM因其成熟可靠、抗干扰能力强而被沿用多年。尽管现代系统已全面转向同步DRAM技术，但在设备维修、备件替换和复古计算爱好者群体中，KM41C464Z-10仍有实际应用需求。尤其在无法获取原厂模块的情况下，单独更换此芯片成为恢复老旧设备功能的关键手段。

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　　 "KM41C464Z-12",
　　 "KM41C464Z-15",
　　 "MT4C464K-10",
　　 "IS41C464-10",
　　 "CY7C464-10"
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