型号：KM41C4000AJ-8
　　制造商：Samsung
　　器件类型：DRAM
　　存储容量：4 Mbit (1M x 4)
　　工作电压：3.3V ± 0.3V
　　访问时间：80ns / 8ns（视具体子型号而定）
　　封装类型：32-pin SOJ
　　温度范围：商业级（0°C 至 +70°C）
　　刷新周期：通常为8ms或64ms（依据JEDEC标准）
　　数据宽度：4位
　　时钟频率：异步操作，无固定时钟
　　最大工作频率：约33 MHz（基于访问时间估算）
　　输入/输出逻辑电平：TTL/CMOS兼容

KM41C4000AJ-8作为一款经典的FPM DRAM器件，具备良好的时序控制特性和稳定的数据保持能力。其核心特性之一是支持快速页模式（Fast Page Mode）操作，允许在同一个打开的行地址下连续访问不同的列地址，显著提升了突发数据读取的效率。相比早期的普通DRAM，FPM模式通过减少地址重载次数来降低延迟，尤其在连续读取场景中表现出更高的性能。该芯片采用异步设计，不依赖外部时钟信号进行同步，而是依靠控制信号如RAS（Row Address Strobe）和CAS（Column Address Strobe）的时序组合完成读写操作，这种架构简化了接口设计，适用于对成本敏感且不需要极高带宽的系统。
　　该器件内部集成了动态存储单元阵列，每个存储单元由一个晶体管和一个电容组成，因此需要定期刷新以维持数据完整性。KM41C4000AJ-8支持多种刷新模式，包括集中刷新和分布式刷新，系统可根据实际需求选择合适的刷新策略，在功耗与性能之间取得平衡。其3.3V低电压设计相较于早期5V DRAM产品有效降低了功耗，提高了系统的能效比，同时增强了与其他低压逻辑器件的兼容性。此外，该芯片具有较高的抗干扰能力和环境适应性，能够在标准商业温度范围内可靠运行，满足大多数工业和消费类电子设备的要求。
　　从物理结构上看，SOJ封装提供了良好的机械强度和散热性能，引脚间距适中，便于手工焊接与自动化生产。虽然该芯片的数据宽度仅为4位，限制了单次传输的数据量，但可通过并联多个芯片实现8位、16位甚至32位总线宽度，灵活适应不同系统架构的需求。整体而言，KM41C4000AJ-8以其成熟的技术、稳定的供货历史和广泛的兼容性，成为特定领域中值得信赖的存储解决方案之一。

KM41C4000AJ-8主要应用于早期的个人计算机、工作站和嵌入式系统中，作为主存储器或显存使用。在20世纪90年代，许多ISA或PCI总线扩展卡上的图形控制器会采用此类4位宽度的FPM DRAM构建帧缓冲区，以支持基本的显示功能。此外，该芯片也被广泛用于工业控制设备、网络通信模块、打印机、复印机等办公自动化设备中，用于临时存储运行数据或程序代码。由于其异步接口简单、易于驱动，一些微控制器系统在需要外扩内存时也会选用该型号进行容量扩展。
　　在现代应用中，尽管高性能系统已转向同步动态内存技术，但KM41C4000AJ-8仍活跃于老旧设备的维修与替换市场。例如，在维护铁路信号控制系统、数控机床、医疗仪器等长生命周期设备时，原厂配置的DRAM可能正是此类型号，因此其替代和补货需求依然存在。此外，电子教育机构和DIY开发者常利用该芯片搭建基础的计算机体系结构实验平台，帮助学生理解地址译码、RAS/CAS时序、刷新机制等DRAM核心技术概念。对于复古计算爱好者来说，该芯片也是复刻经典PC主板或游戏主机内存模块的重要组件。综上所述，尽管技术上已属过时，但KM41C4000AJ-8凭借其历史积累的应用基础和持续存在的维护需求，仍然在特定细分市场中发挥着作用。

K4S161622D
　　MT4C4000BP
　　IS41C4000A