类型：DRAM
　　密度：64K × 1
　　组织结构：65536字 × 1位
　　工艺技术：CMOS
　　供电电压：4.5V 至 5.5V
　　访问时间：200ns
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　封装形式：16-DIP, 16-SOIC
　　引脚数：16
　　地址复用方式：A0-A7
　　控制信号：RAS, CAS, WE, OE
　　刷新周期：≤ 4ms
　　最大运行电流：典型值 40mA
　　数据输出类型：三态输出

KM4164B-20采用先进的CMOS制造工艺，在保证较高集成度的同时实现了较低的功耗表现，尤其在待机或静态状态下电流消耗极小，适合对电源效率有一定要求的应用场景。其核心存储阵列为64K×1结构，通过地址线分时复用机制（A0-A7）分别传送行地址和列地址，有效减少了外部引脚数量，降低了PCB布线复杂性，并提升了封装的经济性和实用性。该器件支持标准的异步DRAM操作协议，包括读取、写入、预充电和自刷新等多种工作模式，能够满足不同系统的内存管理需求。片内集成有灵敏放大器和地址解码逻辑，确保了快速稳定的数据存取能力，典型访问时间为200纳秒，符合当时主流微处理器的时序匹配要求。为了维持数据完整性，KM4164B-20需要定期执行刷新操作，一般建议在4毫秒内完成全部行的刷新，可通过外部控制器发出RAS-only刷新命令实现。此外，该芯片具备良好的噪声抑制能力和抗干扰设计，能够在复杂的电磁环境中保持稳定运行。输出端带有三态缓冲器，允许多片DRAM并联使用于多位数据总线系统中，例如将8片KM4164B-20组合成64KB的8位内存模块。所有输入输出引脚均兼容TTL电平标准，可直接与8086、80286、Z80等经典CPU无缝对接，无需额外的电平转换电路。整体设计注重可靠性与兼容性，适用于长期运行的工业控制设备及嵌入式系统。
　　尽管KM4164B-20已不再用于现代高性能计算平台，但其简单的接口逻辑和成熟的配套设计方案使其成为教学实验、电子爱好者DIY项目以及复古计算机重建中的理想选择。制造商提供了完整的数据手册和技术支持文档，涵盖时序图、直流/交流电气特性、封装尺寸等关键信息，有助于工程师快速完成电路设计与调试。虽然当前市场上新品供应有限，但仍可通过二手渠道或库存商获取，部分兼容型号也可用于替代使用。总体而言，KM4164B-20是一款结构清晰、性能稳定的经典DRAM芯片，在电子发展史上具有重要地位。

主要用于早期个人计算机（如IBM PC/XT及其兼容机）的主内存扩展模块中，作为系统运行时的数据存储单元；
　　应用于各类工业自动化控制系统，用于暂存传感器数据、控制指令或中间运算结果；
　　在通信设备中作为帧缓冲器或协议处理缓存使用；
　　用于嵌入式仪器仪表、医疗设备和测试测量装置中的临时数据存储；
　　常见于教育机构的数字电路与计算机组成原理实验平台，帮助学生理解DRAM工作原理与内存寻址机制；
　　在复古计算（Retro Computing）项目中被广泛用于复刻经典主机或自制8位/16位计算机系统；
　　也可作为通用静态数据缓冲器在低速微控制器系统中使用，配合地址译码电路实现简单内存扩展功能。