制造商：Samsung
　　器件类型：DRAM
　　存储容量：1 Mbit
　　组织结构：256K x 4
　　工作电压：5V ± 10%
　　访问时间：12 ns
　　封装形式：20-DIP 或 22-SOJ
　　引脚数：20 或 22
　　刷新周期：≤ 8 ms
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　最大功耗：典型值约 500 mW
　　数据总线宽度：4位

KM41256-12作为一款高性能异步动态随机存取存储器（DRAM），具备多项关键特性，使其在当时成为主流内存解决方案之一。首先，该芯片采用256K×4的组织架构，总容量为1兆位（1Mbit），通过地址多路复用技术将行地址与列地址分时输入，有效减少了引脚数量，从而降低了PCB布局复杂度并提升了系统集成效率。这种设计特别适合空间受限或成本敏感的应用环境。其次，其12ns的快速访问时间确保了较高的数据响应速度，能够在高频处理器系统中提供可靠的数据支持，满足早期微机系统的内存带宽需求。
　　该器件支持标准的RAS/CAS控制信号架构，兼容大多数传统内存控制器逻辑，允许灵活配置为页模式、静态列模式或普通随机访问模式，增强了其在不同系统设计中的适应能力。此外，KM41256-12内置有感应放大器和地址缓冲器，提高了信号稳定性和抗干扰能力，同时具备低漏电特性，在正常工作条件下可有效保持存储单元内的电荷，延长刷新间隔，降低系统功耗负担。
　　为了保证数据完整性，该芯片必须由外部控制器定期执行刷新操作，典型刷新周期不超过8毫秒，支持集中式或分布式刷新方式，适用于各种复杂的实时控制系统。其5V供电设计与当时主流TTL逻辑电平完全兼容，无需额外电平转换电路，简化了电源管理设计。在封装方面，提供20引脚DIP和22引脚SOJ两种选项，前者适用于原型开发和维修更换，后者则更适合高密度表面贴装应用。
　　值得一提的是，KM41256-12具有良好的温度稳定性和长期可靠性，可在商业级温度范围（0°C至+70°C）内稳定运行，部分军用或工业级版本甚至支持更宽的工作温区。整体而言，该芯片以其成熟的工艺、稳定的性能和广泛的兼容性，在DRAM发展历程中占据重要地位，至今仍在老旧设备维护领域发挥着不可替代的作用。

KM41256-12主要应用于20世纪末至21世纪初的各类计算机系统和工业控制设备中。其最常见的用途是作为个人计算机（如基于Intel 80386、80486和早期Pentium处理器平台）的主内存模块组成部分，尤其是在采用SIMM（单边接触内存模块）架构的主板上，多个KM41256-12芯片并联使用以构成32位或64位数据总线宽度，满足操作系统和应用程序对内存容量的基本需求。此外，它也被广泛用于打印机、传真机、网络交换机、工控机、数控机床等嵌入式系统中，作为程序缓存或临时数据存储单元。
　　在通信设备领域，该芯片常被用于电话交换系统、调制解调器和路由器中，承担协议处理过程中的缓冲任务。由于其异步接口特性，无需精确的时钟同步即可与多种控制器协同工作，因此非常适合用于非同步总线架构的微控制器系统，例如基于Z80、68000系列或某些ARM7架构的嵌入式设计。此外，在测试测量仪器、医疗电子设备和汽车诊断工具中也能发现其身影，主要用于图形显示缓存或采集数据暂存。
　　尽管现代电子产品已普遍转向同步DRAM（如SDRAM、DDR等），但由于许多旧有生产线仍在运行，对于KM41256-12的需求依然存在于备件替换和系统维护场景中。特别是在航空航天、铁路信号系统和军事装备的延寿项目中，出于兼容性和认证成本考虑，往往倾向于继续使用经过验证的成熟元器件而非重新设计整个硬件平台。因此，该芯片在维修市场和技术遗产保护方面仍具有一定现实意义。

MT4C256-12, CY7C1256-12, IS41C256-12, KM41256A-12, TMS41256-12