电容值：3.9pF
　　容差：±0.1pF
　　额定电压：50V
　　封装尺寸：0805（2012公制）
　　介质材料：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C至+125°C
　　温度系数：0ppm/°C
　　绝缘电阻：10,000MΩ
　　最大纹波电流：未指定
　　ESR（等效串联电阻）：低ESR设计

KL32TE3R9J采用C0G（NP0）介质材料，这种材料在宽温度范围内具有极高的电容稳定性，电容值几乎不随温度变化，因此非常适合用于高精度和高稳定性的电路设计。该电容器的容差为±0.1pF，这使得它在高频电路中可以提供精确的电容值，确保电路的稳定性。此外，KL32TE3R9J的工作温度范围为-55°C至+125°C，能够在极端温度条件下保持稳定的工作性能。
　　该电容器的封装尺寸为0805（2012公制），适合表面贴装工艺（SMT），便于在现代高密度PCB设计中使用。KL32TE3R9J具有低ESR（等效串联电阻）特性，能够有效减少电路中的能量损耗，提高整体效率。其绝缘电阻高达10,000MΩ，确保了电容器在高电压应用中的安全性和可靠性。
　　由于KL32TE3R9J的优异性能，它广泛应用于射频（RF）电路、滤波器、振荡器、定时电路以及其他需要高稳定性和低损耗的电子系统中。其高可靠性和小尺寸使其成为现代电子设备中的理想选择。

KL32TE3R9J主要用于需要高精度和高稳定性的电路设计，如射频（RF）电路、滤波器、振荡器、定时电路和精密放大器。由于其C0G（NP0）介质材料带来的温度稳定性，KL32TE3R9J特别适合用于高频率的信号处理和滤波应用，例如在通信设备、测试仪器和医疗电子设备中。此外，该电容器也可用于电源去耦和噪声抑制，以提高电路的稳定性和抗干扰能力。

GRM2195C1H3R9CA01D (Murata), C1608C0G1H3R9C-090T (TDK), CC0805KK3R9BNPO90