KID65003AF-EL/P 时间：2025/9/12 15:04:53 阅读：3

KID65003AF-EL/P 是一款由 KEC Corporation（现为 KECCORP）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及各种高效率功率转换电路中。该器件采用先进的平面工艺制造，具备良好的导通电阻和开关特性，适用于多种高频率、高效率的功率电子系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：110A（@ Tc=100℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：5.3mΩ（@ Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

KID65003AF-EL/P 具备极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低功率损耗并提高系统效率。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其非常适合用于高功率密度设计。该 MOSFET 还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，从而减小外部电感和电容的尺寸。此外，该器件的栅极驱动电压范围宽广（支持 4.5V 至 20V），兼容多种驱动器电路设计。KID65003AF-EL/P 采用 TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的散热性能和机械稳定性，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产。
　　该器件还具备出色的雪崩能量耐受能力，增强了在高应力环境下的可靠性。其内置的体二极管具有快速恢复特性，适用于同步整流和电机驱动等场合。KID65003AF-EL/P 的设计满足了工业级温度范围的要求，能够在极端环境下稳定工作。

应用

KID65003AF-EL/P 主要应用于电源转换系统，如 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、H 桥电路、功率放大器、电源分配系统以及工业自动化控制设备。此外，该器件也广泛用于消费类电子产品中的高效率电源管理模块，如笔记本电脑、平板电脑、智能电源适配器等。由于其优异的导通性能和高电流能力，它在新能源汽车、电动工具、无人机等领域的功率控制系统中也得到了广泛应用。