KIC7W32FU-T1 时间：2025/9/12 11:21:12 阅读：5

KIC7W32FU-T1 是一款由 KEC Corporation（韩国电子部件公司）制造的 N 沟道功率 MOSFET。该器件适用于高效率电源转换器、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等应用。其封装形式为 TSSOP（薄型小外形封装），适用于表面贴装技术，具备较高的热稳定性和电气性能。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流 (Id)：3.2A
　　漏源极电压 (Vds)：30V
　　栅源极电压 (Vgs)：±12V
　　导通电阻 (Rds(on))：110mΩ（最大）
　　功率耗散 (Pd)：2W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TSSOP

特性

KIC7W32FU-T1 具备低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
　　该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供更高的开关速度和更低的开关损耗。
　　其 TSSOP 封装形式使得该器件适用于高密度 PCB 设计，有助于节省空间。
　　该 MOSFET 具备良好的热稳定性，适合在高温环境下运行。
　　内置的静电放电（ESD）保护功能提升了器件的可靠性和耐用性。
　　由于其高栅极驱动电压容忍度，KIC7W32FU-T1 可与多种控制器和驱动器兼容。
　　该器件符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品设计。

应用

KIC7W32FU-T1 广泛应用于便携式电子设备中的电源管理系统，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
　　在电源转换器中，该器件用于高效能 DC-DC 转换和负载开关控制。
　　适用于电机控制电路，如无人机、机器人和电动工具中的电机驱动。
　　在电池管理系统中，用于实现高效的充放电控制和保护电路。
　　在工业自动化设备中，作为开关元件用于控制继电器、电磁阀和执行器等负载。