2N7002KT/R 时间：2025/7/10 19:05:29 阅读：10

2N7002KT/R 是一款 N 没道增强型场效应晶体管（NMOSFET），广泛应用于模拟和数字电路中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的频率特性，适合用于功率管理、信号切换以及负载驱动等应用。其封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装，便于在空间受限的 PCB 设计中使用。
　　2N7002KT/R 在便携式电子设备、电池供电系统、通信设备及消费类电子产品中有广泛应用。通过其增强型特性，可以由栅极电压控制漏极电流的开启与关闭。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　最大漏极电流：0.2A
　　功耗：340mW
　　导通电阻：1.8Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　跨导：0.16S
　　栅极电荷：1.8nC（典型值）

特性

2N7002KT/R 具有以下关键特性：
　　1. 高开关速度使其非常适合高频开关应用。
　　2. 超低的导通电阻减少了传导损耗，提升了效率。
　　3. 小型 SOT-23 封装有助于节省 PCB 空间。
　　4. 高可靠性和稳定性，能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
　　5. 支持低电压操作，适应多种电源环境。
　　6. 栅极输入阻抗极高，易于与逻辑电路接口。

应用

2N7002KT/R 常见的应用领域包括：
　　1. 开关电源中的初级或次级侧开关。
　　2. 消费类电子产品中的负载开关。
　　3. 电池保护电路中的电子保险丝功能。
　　4. 信号切换和多路复用器设计。
　　5. 电机驱动和继电器驱动电路。
　　6. 数据通信接口的保护和隔离。
　　7. LED 驱动电路中的电流控制开关。