时间：2025/9/11 8:38:05
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KIC7W126FU-T1 是一款由 KEC Corporation（现为 KOSMOS 电子）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的开关电源和 DC-DC 转换器应用。KIC7W126FU-T1 采用 TO-252（DPAK）封装，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性，适用于需要高效能和小体积的电源系统中。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：20V
栅极-源极电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：6A
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
导通电阻(Rds(on))：最大 26mΩ @ Vgs = 10V
栅极电荷(Qg)：15nC
封装类型：TO-252（DPAK）
KIC7W126FU-T1 具有低导通电阻的特性，这意味着在导通状态下器件的功率损耗较小，有助于提高电源系统的整体效率。此外，其快速开关特性减少了开关损耗，使其适用于高频操作环境。TO-252（DPAK）封装提供了良好的热性能，确保了器件在较高负载下仍能保持稳定工作。该器件还具有良好的抗雪崩能力和较高的可靠性，能够在恶劣的工作环境下长期稳定运行。
在设计中，KIC7W126FU-T1 的栅极驱动要求较低，可以与多种控制器或驱动器兼容，简化了电路设计并降低了驱动电路的复杂性。其紧凑的封装形式也使得该 MOSFET 非常适合空间受限的应用场景，例如便携式设备和嵌入式系统中的电源管理部分。
KIC7W126FU-T1 主要用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统等应用中。由于其高效能和小尺寸的特性，该器件特别适合用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备的电源管理模块。此外，KIC7W126FU-T1 还可用于汽车电子系统中的功率控制，如车载充电器、LED 照明驱动和传感器电源管理等场景。
Si2302DS, FDN304P, AO3400A
