KIC7W08FU-T1 是一款由 KEC Corporation(韩国电子部件公司)制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的沟槽式 MOS 技术制造,具备低导通电阻、高效率和快速开关特性。该器件广泛应用于电源转换系统、DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动和电池管理系统等领域。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 Vds:80V
最大栅源电压 Vgs:±20V
最大连续漏极电流 Id:200mA(在 Vgs=10V 时)
导通电阻 Rds(on):约 8.5Ω(在 Vgs=10V 时)
功耗(Pd):200mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOT-323(SC-70)
极性:N 沟道
KIC7W08FU-T1 具备多个优良特性,适用于多种电源管理应用。其低导通电阻 Rds(on) 使得在导通状态下功率损耗更低,提高了系统的整体效率。此外,该 MOSFET 的快速开关特性有助于减少开关损耗,适用于高频操作环境。
该器件采用 SOT-323 小型封装形式,适合高密度 PCB 设计,并具有良好的热性能,能够在较宽的温度范围内稳定工作。其 ±20V 的栅极电压耐受能力增强了抗过压能力,提升了器件的可靠性。
KIC7W08FU-T1 还具有较低的输入电容(Ciss)和反馈电容(Crss),有助于提升开关速度并减少驱动电路的负担。该器件的高耐用性和稳定性能使其适用于各种便携式设备、电源管理和电池供电系统。
KIC7W08FU-T1 主要应用于以下领域:
1. 电源管理系统:如 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等,用于提高转换效率并减少空间占用。
2. 便携式电子产品:包括智能手机、平板电脑、穿戴设备等,用于电源管理或信号开关。
3. 马达控制:用于低功率马达驱动电路,实现快速响应和节能控制。
4. 电池管理系统:用于保护电路中的充放电控制,确保电池的安全运行。
5. 通信设备:用于电信和数据通信系统中的电源分配和管理。
KIC7W08FU-T1 的替代型号包括 KIC7W06FU-T1(较低导通电阻)、KIC7W10FU-T1(更高耐压),以及兼容的国际品牌型号如 2N7002K(Philips)、FDV301N(Fairchild)等。